01 存儲(chǔ)芯片，開啟超級(jí)周期

　　存儲(chǔ)芯片周期性顯著強(qiáng)于其他半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域，近 13 年呈現(xiàn) 3-4 年一輪的周期規(guī)律，當(dāng)前正處于第四輪周期。

　　回顧前三輪：2012-2015 年由智能機(jī)換機(jī)潮驅(qū)動(dòng)，后因擴(kuò)產(chǎn)供過于求下行;2016-2019 年受益 3D NAND 產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、DDR4 迭代及手機(jī)游戲需求，DRAM 等產(chǎn)品價(jià)格漲幅超 100%，后續(xù)受 PC / 服務(wù)器需求疲軟調(diào)整;2020-2023 年疫情催生遠(yuǎn)程辦公與數(shù)據(jù)中心需求，存儲(chǔ)先漲后因需求疲軟、產(chǎn)能過剩下跌超 50%。

　　2024 年至今，AI 算力基建與 HBM 技術(shù)革命成為新引擎，改寫傳統(tǒng)周期邏輯。第四輪周期中，存儲(chǔ)需求不再依賴個(gè)人消費(fèi)端，企業(yè)級(jí) AI 資本開支成為重要支撐，驅(qū)動(dòng) HBM、DDR4/DDR5 及企業(yè)級(jí) SSD 等市場(chǎng)大規(guī)模增長(zhǎng)。

　　在此趨勢(shì)下，三星、SK 海力士等行業(yè)龍頭開啟新一輪爭(zhēng)奪戰(zhàn)，業(yè)績(jī)迎來空前高增。

　　10月14日，三星公布的初步財(cái)報(bào)顯示，Q3營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為12.1萬億韓元，同比增長(zhǎng)31.81%，環(huán)比大增158.55%，大超預(yù)期。三星單季營(yíng)業(yè)利潤(rùn)歷經(jīng)5個(gè)季度，再次回升至10萬億韓元以上，也創(chuàng)下自2022年第二季度(14.1萬億韓元)以來的最高記錄。

　　三季度銷售額為86萬億韓元，同比增長(zhǎng)8.72%，環(huán)比增長(zhǎng)15.33%，創(chuàng)下歷史新高。三星將于本月晚些時(shí)候公布包含凈利潤(rùn)和部門明細(xì)項(xiàng)目的完整財(cái)報(bào)。

　　SK海力士Q3運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)首次突破10萬億韓元大關(guān)，達(dá)到11.38萬億韓元，同比激增62%;營(yíng)收24.45萬億韓元，同比增長(zhǎng)39%;凈利潤(rùn)12.598萬億韓元，三項(xiàng)核心指標(biāo)均刷新歷史紀(jì)錄。

　　HBM業(yè)務(wù)成為驅(qū)動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的核心引擎。財(cái)報(bào)披露，12層堆疊的HBM3E及服務(wù)器DDR5等高端產(chǎn)品貢獻(xiàn)了主要收入增量，推動(dòng)公司毛利率攀升至57%。

　　據(jù)悉，三星與SK海力士近日已通知客戶：2025 年第四季度合同或現(xiàn)貨價(jià)格將調(diào)高至約 30% 的幅度，涉及DRAM 與 NAND Flash 產(chǎn)品。

　　隨著云服務(wù)器、AI 模型訓(xùn)練及推理需求的疊加，DRAM 與 NAND 的供需格局正在發(fā)生改變。多家國(guó)際電子與服務(wù)器廠商據(jù)稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中長(zhǎng)期供貨協(xié)議，以鎖定未來資源、避免價(jià)格波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)。

　　DRAM價(jià)格攀升的部分原因在于產(chǎn)能受到HBM的擠壓。據(jù)報(bào)道援引美光首席商務(wù)官Sumit Sadhana的言論，HBM消耗的晶圓產(chǎn)能是標(biāo)準(zhǔn)DRAM的三倍以上。由于利潤(rùn)豐厚，內(nèi)存制造商有充分的動(dòng)力優(yōu)先生產(chǎn)HBM。

　　02 SK海力士，連續(xù)三季度蟬聯(lián)DRAM市場(chǎng)榜首

　　在過去兩個(gè)季度中：2025年Q1，SK 海力士首次打破三星電子自1992年以來的長(zhǎng)期壟斷，以36.9%的市占率登頂 DRAM 全球榜首，終結(jié)了三星長(zhǎng)達(dá) 33 年的霸主地位。這一里程碑式的突破，標(biāo)志著 DRAM 市場(chǎng)格局正式進(jìn)入雙雄爭(zhēng)霸的全新階段。

　　Q1三星市占率降至 34.4%，SK 海力士憑借 2.5 個(gè)百分點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)首次超越。

　　Q2 競(jìng)爭(zhēng)差距進(jìn)一步拉大，SK 海力士市占率飆升至 39.5%，而三星市占率續(xù)跌至 33.3%，兩者差距擴(kuò)大至 6.2 個(gè)百分點(diǎn)。

　　隨著SK海力士Q3財(cái)報(bào)的公布，新一季度DRAM王座競(jìng)賽也已經(jīng)有了答案。

　　根據(jù)Counterpoint Research 的《存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告》，2025年Q3，SK 海力士的 DRAM 營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)11%，同比增長(zhǎng)54%，以35%的營(yíng)收份額連續(xù)第三個(gè)季度穩(wěn)居全球 DRAM 市場(chǎng)第一。在HBM和通用 DRAM強(qiáng)勁表現(xiàn)的推動(dòng)下，公司本季度的 DRAM 營(yíng)收也創(chuàng)下了歷史新高。

　　三星電子以34%的市場(chǎng)份額位居第二，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)29%、同比增長(zhǎng)24%，與 SK 海力士之間的差距較去年縮小了5個(gè)百分點(diǎn)。

　　雖然本季度 SK 海力士在整體存儲(chǔ)市場(chǎng)上被三星電子反超，但在 HBM 和通用 DRAM 強(qiáng)勁需求的支持下，公司繼續(xù)領(lǐng)跑 DRAM 市場(chǎng)。在 HBM 市場(chǎng)，SK 海力士以58%的市場(chǎng)份額繼續(xù)占據(jù)主導(dǎo)地位。HBM 在其第三季度 DRAM 總銷售額中占比高達(dá)40%。此外，公司也預(yù)計(jì)將順利按照客戶需求推進(jìn) HBM4 產(chǎn)品的交付。在通用 DRAM 領(lǐng)域，需求回升與價(jià)格上漲也為公司業(yè)績(jī)提供了有力支撐。

　　Counterpoint Research 分析師 Jeongku Choi表示：“隨著 AI 存儲(chǔ)需求保持高位，SK 海力士有望在Q4延續(xù)之前的強(qiáng)勁表現(xiàn)。公司在 HBM4 研發(fā)中積極響應(yīng)客戶需求，并在良率表現(xiàn)方面依舊處于行業(yè)領(lǐng)先水平。”

　　SK海力士已與核心客戶完成HBM4的供應(yīng)談判，計(jì)劃于第四季度啟動(dòng)量產(chǎn)出貨。三星計(jì)劃在10月27日至31日的“Samsung Tech Fair 2025”技術(shù)展覽會(huì)上亮相其第六代12層HBM4產(chǎn)品，并計(jì)劃今年晚些時(shí)候進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　分析師分析預(yù)計(jì)12層HBM4產(chǎn)品的售價(jià)為每片500美元，較目前約300美元的12層HBM3e價(jià)格高出60%以上。

　　SK海力士的財(cái)報(bào)也指出，已完成與主要客戶關(guān)于2026年HBM供應(yīng)的全部談判，并計(jì)劃在2025年四季度開始出貨次世代HBM4產(chǎn)品，2026年進(jìn)行全面銷售。

　　更為關(guān)鍵的是，SK海力士已鎖定2026年所有DRAM和NAND產(chǎn)能的客戶需求，預(yù)計(jì)2026年DRAM出貨量將同比增長(zhǎng)超20%，并預(yù)測(cè)HBM供應(yīng)緊張將持續(xù)至2027年。

　　但競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)正在發(fā)生微妙變化。美光已向英偉達(dá)供應(yīng)部分HBM產(chǎn)品，而三星電子上月通過了英偉達(dá)針對(duì)先進(jìn)HBM產(chǎn)品的資格測(cè)試。Counterpoint Research研究總監(jiān)MS Hwang警告：“SK海力士要持續(xù)盈利，保持和增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)將至關(guān)重要?！?/p>

　　在后續(xù) DRAM 市場(chǎng)的技術(shù)競(jìng)賽中，這些存儲(chǔ)巨頭均鉚足了力。

　　03 存儲(chǔ)龍頭，上High NA EUV了

　　High NA EUV 是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它開啟了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下一章。

　　這并非對(duì)High NA EUV 光刻機(jī)的吹捧，是當(dāng)前芯片制造的現(xiàn)狀。對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)來說亦是如此。

　　High NA EUV光刻機(jī)是下一代芯片制造的關(guān)鍵技術(shù)，與傳統(tǒng)EUV相比，它能提供1.7倍更精細(xì)的電路圖案和2.9倍更高的晶體管密度，光學(xué)精度提升了40%。

　　這對(duì)于生產(chǎn)密度更高、更節(jié)能、性能更強(qiáng)大的2nm代工芯片以及先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品(如垂直通道晶體管DRAM和第六代HBM4)至關(guān)重要。

　　本月，市場(chǎng)消息稱三星電子正加速押注DRAM 領(lǐng)域，從 ASML購(gòu)入 5 臺(tái)全新 High-NA EUV 光刻機(jī)，其中2 臺(tái)將部署在三星半導(dǎo)體代工事業(yè)部，其余設(shè)備則專供存儲(chǔ)事業(yè)部。

　　此前，三星曾在京畿道園區(qū)引進(jìn)過一臺(tái)用于研發(fā)的High-NA EUV 設(shè)備，此次引進(jìn)的機(jī)器將用于“產(chǎn)品量產(chǎn)”，對(duì)于三星來說尚屬首次。

　　上個(gè)月，SK海力士也剛剛宣布，已將業(yè)界首款量產(chǎn)型High NA EUV引進(jìn)韓國(guó)利川M16工廠。

　　不過當(dāng)前引進(jìn)的High NA EUV多用于研發(fā)、試生產(chǎn)，并非當(dāng)前一代產(chǎn)品就會(huì)使用High NA EUV生產(chǎn)。

　　在探究這兩大存儲(chǔ)龍頭何時(shí)用上High NA EUV，要從當(dāng)前市場(chǎng)的競(jìng)逐熱點(diǎn)1c DRAM說起。

　　2024年8月，SK海力士就曾宣布成功開發(fā)全球首款第六代10nm等級(jí)1c制程DDR5 DRAM，是1b平臺(tái)的延伸，生產(chǎn)效率更高，運(yùn)行速度、性能方面顯著改進(jìn)。除DDR5外，SK海力士旗下LPDDR6、GDDR7等也將采用此制程。

　　10nm級(jí)的DRAM已經(jīng)開始引入了EUV光刻技術(shù)，但通常只有很少的關(guān)鍵層數(shù)應(yīng)用，絕大部分依然是DUV光刻。

　　今年8月，SK海力士又將其1c制程DRAM制造，首次升級(jí)到了6層EUV光刻，這將有助于提升產(chǎn)品的性能和良率，使得SK海力士能夠推出存儲(chǔ)位元更密集、讀寫速度更快、功耗更低的DDR5內(nèi)存以及更高容量的HBM堆棧。

　　市場(chǎng)消息稱，SK海力士的 1c DRAM 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了 80%-90% 的良率，預(yù)計(jì)將會(huì)在 1d 和 0a DRAM 等下一代產(chǎn)品上更多的使用EUV光刻，最終將為使用更先進(jìn)的High NA EUV奠定基礎(chǔ)。

　　三星電子在第六代10nm 1c DRAM制程的開發(fā)上遭遇了挑戰(zhàn)，導(dǎo)致預(yù)計(jì)完成時(shí)間持續(xù)推遲。據(jù)悉，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率僅有約 50%，不過三星將會(huì)在哪一代產(chǎn)品中使用EUV光刻機(jī)尚不清晰。

　　另一家存儲(chǔ)龍頭美光方面，尚未使用 High NA EUV。美光在 2025 年推出了采用全新 1γ(1-gamma)制造工藝的 16Gb DDR5 設(shè)備，該工藝是美光首次采用 EUV 光刻技術(shù)的工藝。但美光采用的是將 EUV 與多重圖案化 DUV 技術(shù)結(jié)合的方式，僅對(duì)關(guān)鍵金屬層使用 EUV 光刻，其余層仍采用深紫外光(DUV)多重曝光技術(shù)。

　　不過對(duì)于 DRAM 的后續(xù)演進(jìn)，美光似乎有自己的想法。

　　美光，另辟蹊徑?

　　隨著與三星電子和SK海力士的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，美光科技正在加速其10納米以下DRAM工藝路線圖的推進(jìn)。

　　據(jù)悉，美光正在評(píng)估兩條潛在的路線圖。一條路線遵循常規(guī)順序，從目前的第七代 (1d) 10nm 工藝發(fā)展到大約 10.1nm 的第八代 (1e)。另一條路線則更具雄心，它完全跳過 1e 步驟，直接過渡到真正的 9nm DRAM 工藝。

　　在 DRAM 制造中，更窄的線寬可帶來更高的密度和性能。10nm 級(jí)工藝已歷經(jīng)數(shù)代演進(jìn)——1x、1y、1z、1a、1b 和 1c——每一代都實(shí)現(xiàn)了更精細(xì)的微縮。最新的商業(yè)化節(jié)點(diǎn) 1c 尺寸約為 11.2nm。

　　一位業(yè)內(nèi)人士指出，關(guān)鍵變量在于美光公司能將其1d節(jié)點(diǎn)縮小多少。如果1d線寬保持在10.9納米左右，那么它可能需要先引入10.1納米的1e工藝，然后再進(jìn)一步降低。但如果1d達(dá)到約10.2納米，美光公司就有可能跳過1e工藝，直接進(jìn)入9納米級(jí)別，這將是一次意義重大的技術(shù)飛躍。

　　據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃直接從其1d節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)向9nm(0a)DRAM工藝，而SK海力士預(yù)計(jì)將采取類似的快速發(fā)展戰(zhàn)略。隨著這兩家韓國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手加快9nm工藝的開發(fā)，美光公司正在調(diào)整其路線圖以保持競(jìng)爭(zhēng)力。

　　04 存儲(chǔ)兩龍頭，還搭上了OpenAI

　　日前，三星電子和SK海力士分別與OpenAI簽署協(xié)議，宣布作為核心合作伙伴，參與全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目Stargate。

　　Stargate是OpenAI價(jià)值5000億美元的數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施項(xiàng)目，計(jì)劃為OpenAI的ChatGPT建設(shè)20個(gè)專注于AI的數(shù)據(jù)中心。目標(biāo)是在2029年前投入運(yùn)營(yíng)。OpenAI正與軟銀和甲骨文在該項(xiàng)目上開展合作。

　　此外，OpenAI還正與三星和SK海力士合作在韓國(guó)建設(shè)兩個(gè)數(shù)據(jù)中心，初始容量為20兆瓦。

　　未來一段時(shí)間，三星和SK海力士將擴(kuò)大內(nèi)存芯片產(chǎn)量，目標(biāo)是每月90萬片DRAM晶圓。OpenAI沒有說明這是標(biāo)準(zhǔn)DRAM還是專用HBM。不過，KED Global媒體稱這是用于HBM的。

　　因?yàn)镺penAI 的 “Stargate” 計(jì)劃要承載下一代千億參數(shù)大模型，每秒需處理數(shù)千萬次數(shù)據(jù)交互，傳統(tǒng) DDR5 內(nèi)存數(shù)百 GB/s 的帶寬早已捉襟見肘，而三星與 SK 海力士主打的 HBM(高帶寬內(nèi)存)恰好補(bǔ)上短板 ——HBM3E 的帶寬可達(dá) 3.35TB/s，能讓 GPU 集群效率提升 30%，延遲降低 20%。

　　據(jù)了解，Stargate訂單可能還包括服務(wù)器DRAM、圖形DRAM，甚至SSD。

　　KED Global表示，每月90萬片晶圓是當(dāng)前全球產(chǎn)能的兩倍。據(jù)了解，SK海力士目前每月運(yùn)營(yíng)16萬片DRAM和HBM晶圓。這意味著三星和SK海力士都必須建設(shè)新的HBM工廠。連鎖反應(yīng)可能是它們會(huì)減少DRAM生產(chǎn)，因?yàn)镈RAM不如HBM盈利。