在半導(dǎo)體存儲器市場上，中國大型企業(yè)的存在感正在增強。這是因為技術(shù)創(chuàng)新推動供應(yīng)廠商以中國為中心增加，價格競爭力也在提高。由于政府的補貼政策，中國有些產(chǎn)品比其他國家便宜50%左右，這成為壓低世界大宗交易價格的一個因素。

　　半導(dǎo)體存儲器是在個人電腦(PC)和智能手機等電子設(shè)備內(nèi)部儲存數(shù)據(jù)的存儲介質(zhì)。其中包括用于短期存儲的DRAM和用于長期存儲的NAND型閃存等。世界領(lǐng)先企業(yè)有美國的美光科技、韓國的三星電子和SK海力士等。但是，在NAND領(lǐng)域，中國的長江存儲科技(YMTC)正在擴大市場份額，在DRAM領(lǐng)域，長鑫存儲技術(shù)(CXMT)也在增長。

　　長江存儲科技等中國產(chǎn)品的主要銷售市場是中國國內(nèi)。中國正在實施鼓勵購買本國半導(dǎo)體存儲器的補貼政策。調(diào)查公司TechInsights等的數(shù)據(jù)顯示，中國產(chǎn)DRAM和NAND比其他國家的產(chǎn)品便宜23%，如果考慮到補貼，最多能便宜50%左右。

　　在向中國銷售其他國家產(chǎn)品時，不得不考慮中國產(chǎn)品的價格。因此，在作為半導(dǎo)體存儲器一大市場的中國降價將波及全球。從以NAND為主要零部件的存儲裝置固態(tài)硬盤(SSD)1～3月的大宗交易價格來看，作為指標的TLC(三電平單元)256GB為每個29.9美元左右，比上季度下降了8%。

　　從NAND來看，存儲單元縱向堆疊的層數(shù)是評價性能的指標之一。TechInsights的Jeongdong Choe表示，“長江存儲科技在采用混合鍵合(HB)技術(shù)的產(chǎn)品量產(chǎn)化方面比韓國企業(yè)更早取得了成功”。在市售產(chǎn)品中(截至3月)，長江存儲科技的產(chǎn)品“層數(shù)最多，達到267層”，Jeongdong Choe表示。

　　中國對本國產(chǎn)品的優(yōu)惠政策也在影響DRAM價格。從2月的大宗交易價格來看，作為指標的DDR4 8GB為每個1.70美元左右。容量較小的4GB產(chǎn)品在1.30美元左右，均連續(xù)6個月下降，創(chuàng)出了2023年12月以來的最低水平。3月的價格也與上月持平。有分析認為，長鑫存儲技術(shù)崛起等因素正在壓低DDR4和上一代產(chǎn)品DDR3等的價格。

　　由于中國企業(yè)的低價攻勢，NAND和DRAM的價格呈現(xiàn)下跌趨勢，但目前也有觀點認為，價格將在今年內(nèi)見底。理由之一是企業(yè)為特朗普政府關(guān)稅政策做的準備。為了應(yīng)對半導(dǎo)體產(chǎn)品被征收高關(guān)稅的情況，作為買方的設(shè)備制造商和模塊制造商等正在增加庫存。

　　由于個人電腦和智能手機的銷售增長乏力，NAND和DRAM也受到需求減弱的影響，消費者的觀望情緒也在一定程度上導(dǎo)致了價格下跌。據(jù)悉，DRAM中約有50%用于個人電腦和數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器設(shè)備，約35%用于智能手機。然而，近期市場出現(xiàn)變化，“有權(quán)威調(diào)研機構(gòu)指出庫存可能會比預(yù)期更早減少，這成為契機，DDR4、DDR5以及高帶寬存儲器(HBM)等的需求正在增強”，一位電子元器件貿(mào)易公司的負責(zé)人表示。

　　從NAND來看，一些大型制造商正在減產(chǎn)，縮減供應(yīng)的趨勢仍在持續(xù)。有觀點認為，如果服務(wù)器等的需求增強，半導(dǎo)體存儲器的價格將在年內(nèi)轉(zhuǎn)向上漲。最早可能在4～6月的大宗交易價格上出現(xiàn)觸底的跡象。