12月5日消息，面對當(dāng)前DRAM市場供不應(yīng)求、價格持續(xù)上漲的局面，三星電子、SK海力士、美光這三大DRAM采取了不同的應(yīng)對策略：三星電子擬減產(chǎn)HBM3E來擴大通用DRAM供給;而SK海力士則聚焦擴大數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級所需的DRAM產(chǎn)品的供給，但也考慮擴大通用DRAM供給;美光則完全轉(zhuǎn)向了滿足數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級需求，甚至不惜砍掉自己的消費類品牌。

　　三星電子擬削減HBM3E約40%產(chǎn)能，擴大通用DRAM供給

　　據(jù)韓國媒體DealSite近日報導(dǎo)，為助力公司實現(xiàn)明年利潤最大化的目標(biāo)，三星電子正考慮大幅削減基于其10nm級制程的第四代(1a)DRAM芯片HBM3E的產(chǎn)能，以便將生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到利潤率高于當(dāng)前HBM3E的10nm 級第五代 (1b) 制程的通用DRAM芯片上。

　　一位熟悉該三星內(nèi)部情況的負責(zé)人表示：“我們內(nèi)部正在討論將 30-40% 的 1a DRAM 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為1b DRAM。”他補充道：“如果我們將成熟工藝線(例如 1z)的轉(zhuǎn)換投資也算進去，我們將確保每月額外獲得 8 萬片(基于晶圓)的 1b DRAM 產(chǎn)能。”

　　目前三星HBM3 和HBM3E 均基于1a nm 制程的DRAM制造，而三星電子的1b DRAM則主要用于生產(chǎn)通用DRAM產(chǎn)品，包括DDR5、LPDDR5X等，也有部分會用于生產(chǎn)GDDR7。即將量產(chǎn)的HBM4 則基于1c nm及1b nm 制程技術(shù)的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)。

　　雖然三星HBM3E良率已有顯著提升，今年下半年也加入了英偉達的HBM3E供應(yīng)鏈，但其供應(yīng)量仍然有限。因為英偉達已經(jīng)從SK海力士和美光獲得了足夠的供貨量。同時，三星供給英偉達這些大客戶的HBM3E價格也要比競爭對手更低，這也導(dǎo)致了三星當(dāng)前的HBM3E產(chǎn)品的營業(yè)利潤率預(yù)計只有30%左右。此外，英偉達、AMD都計劃從明年開始將其主要產(chǎn)品的需求過渡到HBM4，這也將導(dǎo)致對于HBM3E需求減少。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，從明年開始，12層HBM3E產(chǎn)品的年均售價可能還將下降30%以上，這也意味著三星HBM3E的利潤率可能會進一步降低。

　　與此同時，由于人工智能(AI)的旺盛需求、HBM搶占標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)能、短期內(nèi)DRAM擴產(chǎn)幅度有限等原因，導(dǎo)致基于1b DRAM產(chǎn)能的通用DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求、價格持續(xù)上漲。根據(jù)預(yù)計，在經(jīng)過價格上漲之后，三星基于1b DRAM產(chǎn)能的DDR5等通用DRAM的營業(yè)利潤率將超過60%，遠高于HBM3E產(chǎn)品。因此，對于三星來說，降低HBM3E產(chǎn)能，擴大標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)出將更有利可圖。

　　一位半導(dǎo)體行業(yè)人士也解釋說：“三星雖然通過了英偉達的HBM3E認證測試，并開始供貨。但明年三星在英偉達HBM3E供應(yīng)鏈中的份額將只有個位數(shù)”，并且“由于HBM3E與通用DRAM的盈利能力差距很大，目前生產(chǎn)HBM3E實際上是在賠錢。 ”

　　雖然，減產(chǎn)HBM3E所釋放的1b DRAM產(chǎn)能也可以被用于HBM4，但三星目前主要是計劃用1c DRAM產(chǎn)能來制造HBM4，以形成對SK海力士的競爭優(yōu)勢。相關(guān)報道顯示，三星計劃在其目前月產(chǎn)能為2萬片晶圓的1c DRAM生產(chǎn)線上擴大投資，提升至約8萬片晶圓，并將現(xiàn)有成熟工藝升級為1c DRAM工藝，從而在明年年底前將1c DRAM其總產(chǎn)能提升至15萬片晶圓。不過最近有傳聞稱，三星對于HBM4投資開始偏于謹(jǐn)慎，可能也在考慮進一步削減投資。

　　除了英偉達和AMD之外，三星電子目前也有向博通、谷歌在內(nèi)的多家大型科技公司供應(yīng)HBM3E，減產(chǎn)HBM3E可能會影響到他們。但是三星內(nèi)部人士認為：“如果美光科技由于重新設(shè)計HBM4，使得其HBM4市場競爭力下降，其明年的HBM產(chǎn)能仍將集中于HBM3E，因此其他ASIC客戶有望從美光那里獲得更多HBM3E產(chǎn)能。

　　除了通過減產(chǎn)HBM3E來增加通用DRAM產(chǎn)能之外，三星電子近期也決定將其位于平澤和華城園區(qū)的部分NAND閃存生產(chǎn)線改造為通用DRAM生產(chǎn)線，以快速提升通用DRAM產(chǎn)能。因為通用DRAM的價格上漲預(yù)計將比NAND Flash的價格上漲持續(xù)更長時間。

　　一位知情人士表示：“三星內(nèi)部有強烈的趨勢，力爭明年取得優(yōu)異的外部業(yè)績。我們的核心目標(biāo)是實現(xiàn)比SK海力士更高的營業(yè)利潤，并在盈利能力方面明顯超越他們?！痹撊耸垦a充道：“因此，我們目前的目標(biāo)是保持DRAM產(chǎn)量的高速增長(與近期半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇相符)，并計劃將大部分產(chǎn)能分配給利潤率較高的通用DRAM?！?/p>

　　事實上，近年來三星與SK海力士兩家公司之間的盈利差距日益擴大。去年，囊括半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的三星DS部門的營業(yè)利潤為15.1萬億韓元，而SK海力士的營業(yè)利潤則高達23.467萬億韓元。預(yù)計今年三星的營業(yè)利潤將達到23.6萬億韓元，但是遠低于SK海力士的43萬億韓元。而在2023年半導(dǎo)體行業(yè)低迷時期，三星電子DS部門錄得14.8795萬億韓元的營業(yè)虧損，也幾乎是SK海力士虧損的7.7303萬億韓元的兩倍。

　　SK海力士擴大1c DRAM產(chǎn)能，或?qū)⒃黾油ㄓ肈RAM產(chǎn)出

　　據(jù)韓國媒體報道，為應(yīng)對旺盛的DRAM需求，SK海力士計劃將DRAM產(chǎn)能投資目標(biāo)翻了一番。

　　業(yè)界預(yù)期SK海力士會將大部分DRAM產(chǎn)能的擴張投資于HBM等數(shù)據(jù)中心DRAM產(chǎn)品。SK海力士在第三季度財報電話會議上的官方聲明進一步強化了這一預(yù)期：“盡管通用DRAM的利潤率可能與HBM相近，但我們不會僅僅因為盈利能力的暫時性變化就立即調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)。”

　　因此，SK海力士的擴產(chǎn)戰(zhàn)略方向與計劃擴大通用DRAM供給來提升獲利的三星電子截然不同，其更傾向于提高面向數(shù)據(jù)中心的DRAM產(chǎn)品需求來提升獲利，畢竟SK海力士占據(jù)了一半以上的HBM市場份額，其2026年的HBM產(chǎn)能也已經(jīng)售罄。

　　所以，SK海力士當(dāng)前的擴產(chǎn)重心也是擴大HBM產(chǎn)能。比如，SK海力士正在建設(shè)的M15X晶圓廠主要是生產(chǎn)1b DRAM，用作HBM3E的核心芯片，計劃于2025年底實現(xiàn)量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能為3.5萬片晶圓，未來預(yù)計可擴大至5.5萬至6萬片。

　　另外，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士計劃將其1c DRAM月產(chǎn)能從今年的每月2萬片晶圓提升至明年年底的每月16萬至19萬片晶圓，約占其DRAM總產(chǎn)能的三分之一以上。主要生產(chǎn)基地是利川M14、M16晶圓廠，清州M15X也將部分引進1c DRAM生產(chǎn)線。其中，M14將新確保每月13萬片規(guī)模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬片晶圓，M16將投資1萬片晶圓以上。雖然，這些擴產(chǎn)后的1c DRAM雖然不是用于HBM，但是也將主要用于生產(chǎn)GDDR7和SOCAMM2等面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的產(chǎn)品。

　　根據(jù)SK海力士的預(yù)期，DRAM短缺的狀況將會持續(xù)到2027年底，而新建的用于傳統(tǒng)芯片的新工廠要到2027年或2028年才能有產(chǎn)出。因此，SK海力士也對此表達了擔(dān)憂，如果無法向這些終端客戶供貨通用DRAM，他們可能會面臨根本無法做生意的情況。這也使得SK海力士考慮調(diào)整策略。

　　而且，隨著近期通用DRAM價格的持續(xù)飆升，SK海力士也意識到了這一趨勢將推動通用DRAM利潤率可能達到與HBM相同、甚至超越。因此，有跡象表明該SK海力士也可能會調(diào)整這部分的擴產(chǎn)計劃。

　　一位前SK海力士官員表示，“SK海力士的HBM營業(yè)利潤率約為70%”，并且“明年通用DRAM的利潤率似乎也將達到類似HBM的水平，因此公司正在積極采取措施來反映這一點”。

　　根據(jù)韓國媒體最新的報道顯示，SK海力士新增的1c DRAM產(chǎn)能也將被用于通用DRAM產(chǎn)品DDR5、LPDDR5X，以及GDDR7的制造。

　　韓國半導(dǎo)體業(yè)界的一位相關(guān)人士解釋說：“明年SK海力士M14晶圓廠將新確保每月13萬片規(guī)模的1c DRAM晶圓，M15X將投資3萬片晶圓，M16將投資1萬片以上。”他接著解釋說：“目前SK海力士也隨著通用DRAM的需求急劇增加，并正在使用季度調(diào)價而不是長期供應(yīng)合同(LTA)的方式來擴大銷售額?！?/p>

　　美光：退出Crucial消費類存儲業(yè)務(wù)

　　當(dāng)?shù)貢r間2025年12月3日，美國存儲芯片大廠美光科技(Micron)通過官網(wǎng)正式宣布，將退出 Crucial 消費類存儲業(yè)務(wù)，其中包括在全球主要零售商、電商和分銷商處銷售 Crucial 消費品牌存儲產(chǎn)品。

　　美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示：“人工智能驅(qū)動的數(shù)據(jù)中心增長帶動了內(nèi)存和存儲需求的激增。為了更好地為我們在增長更快的細分市場中的大型戰(zhàn)略客戶提供供應(yīng)和支持，美光做出了艱難的決定，退出Crucial消費業(yè)務(wù)?！?/p>

　　簡單來說就是，美光希望通過退出自有品牌 Crucial 消費類存儲業(yè)務(wù)，以便能夠快速將這部分的產(chǎn)能重新分配到毛利潤率更高的HBM/企業(yè)級DRAM和SSD產(chǎn)品上，以滿足AI領(lǐng)域日益增長的需求。

　　不過，由于HBM4不符合英偉達要求，美光正在重新設(shè)計，這也使得其2026年難以在HBM4市場獲得多少訂單，所以其2026年新增的產(chǎn)能會集中于HBM3E的供應(yīng)，以擴大對英偉達的供應(yīng)份額。

　　美光CEO Sanjay Mehrotra今年9月透露，在截至8月的單季度，美光HBM收入增長至近20億美元，整個財年的HBM收入預(yù)計達80億美元。

　　雖然美光也在加大投資建設(shè)新產(chǎn)能，比如已經(jīng)動工的中國臺灣的A5工廠和美國的愛達荷州的ID1晶圓廠，但是遠水解不了近渴，這部分產(chǎn)能要2027年才能開出，且主要也是面向數(shù)據(jù)中心需求。最新宣布的96億美元在日本廣島建設(shè)的新廠，也是用于生產(chǎn)HBM，預(yù)計2028年才能有產(chǎn)出。

　　據(jù)路透社的最新報導(dǎo)，在經(jīng)過大規(guī)模的市場調(diào)查之后發(fā)現(xiàn)，今年10月，谷歌、亞馬遜、微軟和Meta紛紛向美光提出了“無限期訂單”，他們告訴美光，無論價格如何，只要能交付多少，他們就會接收多少。這或許也能解釋，美光為何不惜砍掉自家的消費類品牌來增加數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級的供給。

　　小結(jié)：

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce預(yù)測，2026年全球DRAM供應(yīng)量將同比增長20%。另據(jù)韓國金融機構(gòu)iM Securities估計，2026年全球DRAM產(chǎn)業(yè)的總產(chǎn)量預(yù)計將同比增長約19%，其中三星電子預(yù)計將增長21%，SK海力士預(yù)計增長17%。

　　從最新的信息來看，三大DRAM原廠都在陸續(xù)上調(diào)明年DRAM產(chǎn)量增長目標(biāo)，但是基于自身實際情況、為了提升獲利，三家原廠采取不同的策略。三星直接選擇了減產(chǎn)HBM3E、擴大通用DRAM產(chǎn)能供給;SK海力士則是持續(xù)擴大面向數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級的DRAM產(chǎn)能供給，但是隨著通用DRAM利潤率持續(xù)提升，SK海力士也計劃增加通用DRAM的產(chǎn)出;美光則是一門心思地擴大數(shù)據(jù)中心/企業(yè)級供給，甚至不惜砍掉自己的消費類品牌。但不管策略如何，他們的目標(biāo)都是提升獲利。

　　業(yè)內(nèi)人士認為，雖然三大原廠都在積極擴產(chǎn)，但是明年DRAM市場需求的增長量可能會超過產(chǎn)量的擴張。TrendForce也預(yù)測，2026年的對于DRAM的需求將同比增長26%，比2025年DRAM供應(yīng)的20%的增長，將有不小的缺口存在，并預(yù)計2026年整體的DRAM平均單價將同比上漲58%。