產(chǎn)品頻道

簡介：新型20V n 通道器件具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度，提供1.8V VGS 時 0.043 Ω 至 4.5V VGS 時 0.037Ω 的低導通電阻范圍

簡介：固定增益器件不易受電壓波動和 EMI 噪聲影響，且具有 0.85 mA 的低工作電流

簡介：新型 3mm 高功率、高速 940nm 紅外發(fā)射器的性能相當于 5mm 的器件,在 100 mA 時具有 65 mW/sr 高輻射強度及 40 mW光功率

簡介：奧地利微電子公司推出超小型、無電感DC-DC升壓式轉(zhuǎn)換器AS1302，擴展了旗下無電感升壓式轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列

簡介：ADI新款A(yù)DC驅(qū)動器具有電平轉(zhuǎn)換功能，可簡化信號調(diào)理，適用于高電壓工業(yè)和儀器儀表設(shè)計

簡介：新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻的耐寒、耐高溫能力和高額定功率使其可用于惡劣環(huán)境中的電流感應(yīng)和脈沖應(yīng)用

簡介：SiA850DJ 是在 1.8V VGS 時具有面向高壓應(yīng)用的導通電阻額定值的業(yè)界首款器件，其封裝厚度僅為 0.75mm，占位面積為2mm×2mm

簡介：全球領(lǐng)先的通信、工業(yè)、醫(yī)療和汽車領(lǐng)域模擬集成電路設(shè)計者及制造商奧地利微電子推出16通道LED控制器IC AS3693B，為采用LED背光的最高對比度LCD電視提供創(chuàng)新的節(jié)能概念與最新功能

簡介：富士通微電子（上海）有限公司宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器

簡介：意法半導體推出音頻放大器與模擬開關(guān)二合一芯片TS4961T，通過在單一封裝內(nèi)整合一個隔離度–80dB的模擬開關(guān)和一個1.6W的D類功率放大器

簡介：Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET® 功率 MOSFET實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低導通電阻。新型器件采用 SO-8 封裝，具有 3.3 mΩ（在 10 V 時）及 5.5 mΩ（在 4.5 V 時）的優(yōu)異性能

簡介：Vishay 推出性能遠高于業(yè)界標準的新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列器件，該產(chǎn)品以鷗翼式、倒立鷗翼式、PLCC2 及 0805 封裝，且具高輻射強度。

簡介：Vishay 推出業(yè)界首款采用超薄 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的白光功率 SMD LED系列

簡介：Vishay 的新型IHLP® 薄型、高電流電感器可為用戶提供小型高性能、低功耗解決方案，該器件采用 2020 封裝尺寸且最大頻率高達1MHz。

簡介：Vishay Siliconix 推出的新型高端負載開關(guān)器件為客戶提供了更多選擇

簡介：Maxim推出帶有同步整流的雙通道、Quick-PWM?降壓控制器MAX17101，用于生成電池供電系統(tǒng)的5V/3.3V電源

簡介：該器件采用 14 種封裝尺寸，可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行，面向工業(yè)、電信、數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)及消費類電子應(yīng)用。

簡介：Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET™ 技術(shù)的第三代功率 MOSFET，其切換損耗更低、切換速度更快

簡介：ST23YR80雙模IC支持橢圓曲線加密算法和增強型生物測定，防御電子攻擊，提高安全

簡介：Vishay 推出具有業(yè)界最低的正向電壓及最高的輻射強度的新型高功率、高速 870 nm SMD 紅外發(fā)射器.該器件具有 1.45V（在 100mA 時）和 2.1V（在 1A 時）的業(yè)界最低正向電壓,在 100mA 時具有 16mW/sr 的最高輻射強度