產(chǎn)品頻道

賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 1 月 19 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH） 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT® 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET® 功率 MOSFET ——- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。 Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進(jìn)行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實(shí)現(xiàn)對(duì) MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動(dòng)部件暫時(shí)接觸而產(chǎn)生的電路短路。 此絕緣設(shè)計(jì)令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用，從而設(shè)計(jì)人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時(shí)將進(jìn)一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計(jì)靈活性還可減少寄生效應(yīng)，由于無(wú)需路由至 PCB 上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。 20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS 時(shí) 0.043 Ω 至 4.5V VGS 時(shí) 0.037Ω 的低導(dǎo)通電阻范圍，且最大柵源電壓為 ±8 V。 目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。 VISHAY簡(jiǎn)介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無(wú)源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com