產(chǎn)品頻道

簡(jiǎn)介：該器件率先結(jié)合可耐受25 kV靜電放電、±0.005%（50 ppm）的長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定性及±0.2 ppm/C 典型 TCR 等特性；可耐受 100 循環(huán)的熱沖擊且漂移 < 20 ppm 及熱穩(wěn)定時(shí)間 < 1 秒

簡(jiǎn)介：該連接器成為全新STRADA產(chǎn)品套件的重要組件

簡(jiǎn)介：該器件采用 SO-8 封裝，在 10V 及 4.5V 時(shí)分別提供 1.9 mΩ 和 2.5 mΩ 的業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

簡(jiǎn)介：2009年3月，全球領(lǐng)先的電子組件供應(yīng)商泰科電子推出一款全新“無(wú)極性片式插頭”內(nèi)嵌式連接器。

簡(jiǎn)介：可在特定電阻值范圍內(nèi)制造任何電阻值，且不會(huì)影響成本或供貨時(shí)間

簡(jiǎn)介：采用次微米溝槽技術(shù)的新型器件采用 D-Pak 封裝，具有達(dá) +175 °C 最大結(jié)溫、6 A 至 20 A額定電流范圍、小于 0.54 V 的超低典型正向壓降和低至 3 mA 的反向漏電流

簡(jiǎn)介：器件低至 22 m 的 Z 值、高達(dá) 1500µF 的電容值及 3420mA 紋波電流、采用 14 種封裝尺寸，可實(shí)現(xiàn) +105°C 的高溫運(yùn)行

簡(jiǎn)介：新型器件將業(yè)內(nèi)最小尺寸、±0.2 ppm/°C 的 TCR、±0.01% 容差、可耐受高達(dá) 25 KV的靜電放電能力及在工作 2000 小時(shí)后 ±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性等性能集于一體

簡(jiǎn)介：這器件具有集成的大功率直流-直流（DC-DC）升壓轉(zhuǎn)換器，以及片上診斷功能，能提升能效至最高，應(yīng)用于較大尺寸的通用液晶顯示（LCD）面板背光

簡(jiǎn)介：該器件具±0.2 ppm/°C起（-55°C 至 +125°C，+25°C）的 TCR、達(dá)0.005%（50 ppm）的負(fù)載壽命穩(wěn)定性、小于 0.05% 的報(bào)廢容限及小于 1 納秒幾乎瞬時(shí)的熱穩(wěn)定時(shí)間；

簡(jiǎn)介：器件采用 SMD PLCC2 和 5 mm（T1¾）封裝、，具有 1.45 V（在 100 mA 時(shí)）和 2.10 V（在 1 A 時(shí)）的業(yè)界最低正向電壓，以及在 100 mA 時(shí)具有 32 mW/sr 的輻射強(qiáng)度

簡(jiǎn)介：ADI最新推出一款全新的電流/數(shù)字轉(zhuǎn)換器芯片ADAS1128，它使得高層數(shù)CT系統(tǒng)能夠以高精度和豐富信息量捕獲實(shí)時(shí)移動(dòng)圖像

簡(jiǎn)介：器件具有不足 1 秒的熱穩(wěn)定性時(shí)間，以及 2000 小時(shí)后仍具±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性；可“根據(jù)需要”提供電阻值且無(wú)附加費(fèi)用及出貨時(shí)間

簡(jiǎn)介：這些器件在 10kVDC～40kVDC 的電壓范圍內(nèi)其電容值高達(dá)8000pF、具有 0.2% 的低耗散因數(shù)，直徑為 21mm～60mm

簡(jiǎn)介：該器件具有不足 1 秒的快速熱穩(wěn)定時(shí)間、±0.005% （50 ppm） 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性、可 “按照需要”的值（例如 7kΩ 及 7.5678kΩ）來(lái)提供，且無(wú)額外費(fèi)用或出貨時(shí)間

簡(jiǎn)介：該器件提供 ±0.005% （50 ppm） 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性和小于1秒的熱穩(wěn)定時(shí)間；可“按需”提供電阻值，且無(wú)需增加成本或延長(zhǎng)交貨時(shí)間

簡(jiǎn)介：容差已降至 0.005%，TCR 降至 ±0.2 ppm/°C，靜電放電 （ESD） 抗擾度則提升至25 kV；可“按需”提供電阻值，且無(wú)需增加成本或延長(zhǎng)交貨時(shí)間

簡(jiǎn)介：Vishay 推出的新型 Sfernice 面板電位計(jì)具有5,000-VRMS抗電強(qiáng)度和12.5 mm 超小尺寸，該經(jīng)濟(jì)型器件可提供金屬陶瓷和導(dǎo)電塑料兩種版本，共7種模塊

簡(jiǎn)介：其具有低至 18 m 的額定阻抗 （Z）、高達(dá) 6800 µF 的電容值及在 +125°C 時(shí)3200 mA 的高紋波電流

簡(jiǎn)介：器件具有 0.35 mA 的超低電流、0.15 mW/sqm 的典型輻照度及側(cè)視型的厚度僅為 3.0 mm