產(chǎn)品頻道

簡介：器件采用 SMD PLCC2 和 5 mm（T1¾）封裝、，具有 1.45 V（在 100 mA 時(shí)）和 2.10 V（在 1 A 時(shí)）的業(yè)界最低正向電壓，以及在 100 mA 時(shí)具有 32 mW/sr 的輻射強(qiáng)度

簡介：器件具有不足 1 秒的熱穩(wěn)定性時(shí)間，以及 2000 小時(shí)后仍具±0.005% 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性；可“根據(jù)需要”提供電阻值且無附加費(fèi)用及出貨時(shí)間

簡介：這些器件在 10kVDC～40kVDC 的電壓范圍內(nèi)其電容值高達(dá)8000pF、具有 0.2% 的低耗散因數(shù)，直徑為 21mm～60mm

簡介：該器件具有不足 1 秒的快速熱穩(wěn)定時(shí)間、±0.005% （50 ppm） 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性、可 “按照需要”的值（例如 7kΩ 及 7.5678kΩ）來提供，且無額外費(fèi)用或出貨時(shí)間

簡介：該器件提供 ±0.005% （50 ppm） 的負(fù)載壽命穩(wěn)定性和小于1秒的熱穩(wěn)定時(shí)間；可“按需”提供電阻值，且無需增加成本或延長交貨時(shí)間

簡介：容差已降至 0.005%，TCR 降至 ±0.2 ppm/°C，靜電放電 （ESD） 抗擾度則提升至25 kV；可“按需”提供電阻值，且無需增加成本或延長交貨時(shí)間

簡介：Vishay 推出的新型 Sfernice 面板電位計(jì)具有5,000-VRMS抗電強(qiáng)度和12.5 mm 超小尺寸，該經(jīng)濟(jì)型器件可提供金屬陶瓷和導(dǎo)電塑料兩種版本，共7種模塊

簡介：其具有低至 18 m 的額定阻抗 （Z）、高達(dá) 6800 µF 的電容值及在 +125°C 時(shí)3200 mA 的高紋波電流

簡介：器件具有 0.35 mA 的超低電流、0.15 mW/sqm 的典型輻照度及側(cè)視型的厚度僅為 3.0 mm

簡介：新型20V n 通道器件具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度，提供1.8V VGS 時(shí) 0.043 Ω 至 4.5V VGS 時(shí) 0.037Ω 的低導(dǎo)通電阻范圍

簡介：固定增益器件不易受電壓波動(dòng)和 EMI 噪聲影響，且具有 0.85 mA 的低工作電流

簡介：新型 3mm 高功率、高速 940nm 紅外發(fā)射器的性能相當(dāng)于 5mm 的器件,在 100 mA 時(shí)具有 65 mW/sr 高輻射強(qiáng)度及 40 mW光功率

簡介：新型高溫 1-W 表面貼裝 Power Metal Strip® 電阻的耐寒、耐高溫能力和高額定功率使其可用于惡劣環(huán)境中的電流感應(yīng)和脈沖應(yīng)用

簡介：SiA850DJ 是在 1.8V VGS 時(shí)具有面向高壓應(yīng)用的導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款器件，其封裝厚度僅為 0.75mm，占位面積為2mm×2mm

簡介：富士通微電子（上海）有限公司宣布，富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設(shè)備的功率放大器

簡介：Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET® 功率 MOSFET實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻。新型器件采用 SO-8 封裝，具有 3.3 mΩ（在 10 V 時(shí)）及 5.5 mΩ（在 4.5 V 時(shí)）的優(yōu)異性能

簡介：Vishay 推出性能遠(yuǎn)高于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的新型表面貼裝紅外發(fā)射器系列器件，該產(chǎn)品以鷗翼式、倒立鷗翼式、PLCC2 及 0805 封裝，且具高輻射強(qiáng)度。

簡介：Vishay 推出業(yè)界首款采用超薄 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的白光功率 SMD LED系列

簡介：Vishay 的新型IHLP® 薄型、高電流電感器可為用戶提供小型高性能、低功耗解決方案，該器件采用 2020 封裝尺寸且最大頻率高達(dá)1MHz。

簡介：Vishay Siliconix 推出的新型高端負(fù)載開關(guān)器件為客戶提供了更多選擇