產(chǎn)品頻道

簡介：新的芯片級封裝肖特基二極管100%利用空間，提供一流的電氣性能

簡介：推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容

簡介：該器件電壓范圍100V～600V，所采用的MicroSMP封裝厚度只有0.65mm

簡介：器件在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.27Ω、柵電荷僅為65nC

簡介：WSBS8518電池分流電阻采用專利技術(shù)的處理工藝，可產(chǎn)生100μΩ、125μΩ、和250μΩ這樣極低的阻值。

簡介：這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟＊2行業(yè)標準要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+（QDRTM II+）和雙數(shù)據(jù)速率II+（DDRII+）的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件

簡介：富士電機IGBT，日本富士IGBT模塊，高品質(zhì)IGBT模塊，低價IGBT模塊，富士IGBT模塊現(xiàn)貨，全新原裝，特價庫存。

簡介：新的NCP5680集成型LED閃光和電源管理方案采用0.55 mm薄型封裝，延長電池使用壽命，并顯著提升數(shù)碼照片質(zhì)量

簡介：256抽頭數(shù)字可編程電位計（DPP™） IC提供50 kΩ及100 kΩ電阻選擇，穩(wěn)定度及可靠性更高

簡介：用以保護多功能便攜設(shè)備不受靜電放電（ESD）的影響,尺寸為0.6 × 0.3 mm, 比以往產(chǎn)品縮小了70%，實現(xiàn)了對于ESD的出色防護

簡介：產(chǎn)品在400MHz的頻率下運行，具有增強型外設(shè)功能，提高了系統(tǒng)性能并降低了成本

簡介：器件具有最高32V的電源電壓，以及高達+ 110℃的工作環(huán)境溫度，2.5mA的最大電流提高了熱和電源效率

簡介：具有低至±10ppm/℃的端到端TCR，在滑動端上的TCR為±25ppm/℃，負載壽命穩(wěn)定率為0.1%，可設(shè)定值小于0.05%；1/4平方英寸、RJ26型的器件滿足并超出MIL-PRF-22097標準F章的要求

簡介：新器件集成了兩個電阻，每個電阻的最大散熱功率為125mW；具有低至0.1 %的容差匹配，潮濕敏感度小于0.5%（85℃，85% RH；1000小時）

簡介：新的微型器件消除高帶寬阻礙使用傳統(tǒng)EMI濾波器的LVDS類接口中的共模噪聲

簡介：器件具有低至±10ppm/℃的端到端TCR、在滑動端上低至±25ppm/℃的TCR、0.1%的負載壽命穩(wěn)定率、達到并超出了MIL-PRF-39035標準H章的要求

簡介：這種無感器件的阻值范圍為0.3Ω～900kΩ，絕緣強度最高可達12kVrms；在+85℃下的散熱功率可達300W、600W和800W；占位面積為57mmx 60mm

簡介：雙端線性恒流穩(wěn)壓器為汽車、工業(yè)標識牌及建筑物LED照明應(yīng)用提供簡單、經(jīng)濟及強固的穩(wěn)流

簡介：CAT5140：數(shù)字可編程電位計（DPP™），提供50 kΩ及100 kΩ端到端電阻

簡介：QPL RNC90Y和非QLP S555高可靠性箔電阻具有±0.005%的負載壽命穩(wěn)定率、±0.005%的容差和高達25kV的ESD免疫能力