產(chǎn)品頻道

簡介：高亮度器件提供了10K/W的低熱阻、29,700mcd的典型發(fā)光強度、87,400mlm～113,600mlm的光通量

簡介：在超級緊湊的LLP1713和LLP3313無引線封裝內(nèi)，Vishay新型四通道和八通道LC EMI/ESD濾波器陣列提供低于1db的輸入損耗

簡介：此款3.3mmx 3.3mm占位面積的器件在10V、4.5V和2.5V下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ

簡介：可促進具有更高可靠性與效率的嵌入式控制應用的開發(fā)

簡介：采用最新的CSTBT硅片技術，最好的熱阻性能， T（j-f）比競爭對手好一個等級

簡介：該器件將第三代P溝道TrenchFET®技術延伸至超小封裝，在2mmx2mm的占位面積內(nèi)用兩個20V P溝道功率MOSFET將導通電阻最多可減少44%

簡介：器件適用于航空、國防、航天應用；具有±2ppm/℃的典型TCR、±0.01%的容差、小于1秒的瞬時熱穩(wěn)定時間，工作2000小時后的負載壽命穩(wěn)定率為±0.005%（50ppm）

簡介：M34和M35器件提供了1.7μF/125V～220μF/6V的容量范圍和±20%的標準容差，在電壓降級情況下的最高溫度可達125℃

簡介：在節(jié)省空間的2.7mmx1.4mm的封裝內(nèi)，器件提供了高達30V的額定電壓和1A的電流密度

簡介：富士IGBT模塊現(xiàn)貨，全新原裝，特價庫存

簡介：新型電感器具有 17.15 mm × 17.65 mm 的封裝尺寸、最大頻率達 2 MHz 且典型 DCR 低至 0.63 mΩ

簡介：該器件率先結合可耐受25 kV靜電放電、±0.005%（50 ppm）的長時間穩(wěn)定性及±0.2 ppm/C 典型 TCR 等特性；可耐受 100 循環(huán)的熱沖擊且漂移 < 20 ppm 及熱穩(wěn)定時間 < 1 秒

簡介：該器件采用 SO-8 封裝，在 10V 及 4.5V 時分別提供 1.9 mΩ 和 2.5 mΩ 的業(yè)內(nèi)最低導通電阻

簡介：氣動電子測量與控制設備普遍應用多功能測量和控制裝置提供的所有優(yōu)勢，靈活的控制裝置

簡介：可在特定電阻值范圍內(nèi)制造任何電阻值，且不會影響成本或供貨時間

簡介：采用次微米溝槽技術的新型器件采用 D-Pak 封裝，具有達 +175 °C 最大結溫、6 A 至 20 A額定電流范圍、小于 0.54 V 的超低典型正向壓降和低至 3 mA 的反向漏電流

簡介：器件低至 22 m 的 Z 值、高達 1500µF 的電容值及 3420mA 紋波電流、采用 14 種封裝尺寸，可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行

簡介：新型器件將業(yè)內(nèi)最小尺寸、±0.2 ppm/°C 的 TCR、±0.01% 容差、可耐受高達 25 KV的靜電放電能力及在工作 2000 小時后 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性等性能集于一體

簡介：這器件具有集成的大功率直流-直流（DC-DC）升壓轉換器，以及片上診斷功能，能提升能效至最高，應用于較大尺寸的通用液晶顯示（LCD）面板背光

簡介：該器件具±0.2 ppm/°C起（-55°C 至 +125°C，+25°C）的 TCR、達0.005%（50 ppm）的負載壽命穩(wěn)定性、小于 0.05% 的報廢容限及小于 1 納秒幾乎瞬時的熱穩(wěn)定時間；