都想供貨給NVIDIA！SK海力士、三星和美光加速16層堆疊HBM

時間：2026-01-06

來源：21ic電子網

導語：12月29日消息，存儲三巨頭SK海力士、三星和美光，正加速開發(fā)16-Hi HBM內存芯片，目標是在2026年第四季度向NVIDIA供貨。

　　據(jù)悉，NVIDIA已向供應商提出需求，希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片，用于其頂級AI加速器。

　　一位行業(yè)人士表示：“繼12-Hi HBM4之后，英偉達又提出了16-Hi的供貨需求，因此我們正在制定非?？焖俚拈_發(fā)時間表。性能評估最早可能在明年第三季度之前開始?！?/p>

　　16-Hi HBM技術尚未實現(xiàn)商業(yè)化，其開發(fā)面臨諸多技術難題，尤其是隨著堆疊層數(shù)的增加，DRAM堆疊的復雜性呈指數(shù)級上升。

　　根據(jù)JEDEC標準，HBM4的總厚度限制在775μm，要在這一有限空間內塞進16層DRAM芯片，意味著晶圓厚度必須從目前的50μm壓縮至30μm左右，而如此薄的晶圓在加工中極易損壞。

　　此外，粘合工藝也是競爭焦點，目前三星與美光主要采用 TC-NCF技術，而SK海力士則堅持MR-MUF工藝。

　　為了增加堆疊層數(shù)，粘合材料的厚度必須縮減到10μm以下，如何在極致輕薄化后依然能有效散熱，是三家企業(yè)必須跨越的“大山”。

　　16-Hi被視為半導體行業(yè)的一道分水嶺，根據(jù)行業(yè)藍圖，下一代HBM5的堆疊層數(shù)也僅能達到16層，預計到2035年的HBM7才會實現(xiàn)20層和24層堆疊，而未來的HBM8也將止步于24層堆疊。

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