超1000億,三星加碼NAND閃存、晶圓代工等新技術(shù)研發(fā)
時(shí)間:2022-08-23
來源:半導(dǎo)體觀察
導(dǎo)語:據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計(jì)劃到2028年對(duì)該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。
近日,市場(chǎng)傳出,半導(dǎo)體大廠三星電子將在本月開設(shè)一個(gè)新的研發(fā)中心,負(fù)責(zé)更先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)。
最新消息是,三星電子已于8月19日在韓國(guó)京畿道器興園區(qū)舉行了下一代半導(dǎo)體研發(fā)(R&D)園區(qū)動(dòng)工儀式。
據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,該研發(fā)園區(qū)總面積約10.9萬平方米,將主管NAND閃存、晶圓代工、系統(tǒng)芯片等新技術(shù)研發(fā)。三星電子計(jì)劃到2028年對(duì)該園區(qū)投資約20萬億韓元(約合人民幣1030億元)。
據(jù)悉,這是三星電子自2014年以來時(shí)隔8年在國(guó)內(nèi)新建研發(fā)中心。三星電子相關(guān)人士表示,若建成具備尖端設(shè)備的研發(fā)中心,有望縮短新一代產(chǎn)品研發(fā)時(shí)間,提升半導(dǎo)體質(zhì)量。
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