據(jù)“科創(chuàng)江北”消息，2025年10月23日，江北新區(qū)企業(yè)南京極鉬芯科技有限公司(以下簡稱“極鉬芯科技”)與南京大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)在《Science》期刊共同發(fā)表重要研究成果。

　　極鉬芯科技深度參與工藝開發(fā)與設(shè)備研制，為研究團(tuán)隊(duì)提供了自主研制的二維半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備Oxy-MOCVD 200 ultra，成功實(shí)現(xiàn)了全球首個(gè)6英寸二維半導(dǎo)體單晶系列的量產(chǎn)化制備。該設(shè)備的全面國產(chǎn)化與自主可控性，標(biāo)志著我國在下一代集成電路關(guān)鍵材料與裝備領(lǐng)域取得重要突破。極鉬芯科技同步推出多款二維半導(dǎo)體單晶晶圓與單晶襯底產(chǎn)品，為科研與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供高質(zhì)量材料解決方案。

　　技術(shù)突破

　　實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)級(jí)性能與靈活工藝的協(xié)同創(chuàng)新

　　極鉬芯科技MOCVD設(shè)備從底層原理出發(fā)進(jìn)行原創(chuàng)設(shè)計(jì)，具備高度的專業(yè)性與工藝適配能力，為二維半導(dǎo)體單晶生長提供了可靠的量產(chǎn)級(jí)技術(shù)平臺(tái)。本次突破的核心在于成功融合了科研級(jí)的工藝靈活性與量產(chǎn)級(jí)的工藝穩(wěn)定性。相較于傳統(tǒng)制備技術(shù)存在的可控性與均勻性局限，新開發(fā)的技術(shù)路徑在大尺寸晶圓均一性、工藝穩(wěn)定性方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。

　　該設(shè)備集成了多項(xiàng)自主開發(fā)的核心技術(shù)：

　　1、“Precise-Flow”前驅(qū)體輸運(yùn)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)氣體流量的精準(zhǔn)控制與長效穩(wěn)定，確保材料質(zhì)量的一致性;

　　2、“Multi-Zone Thermal”溫場控制模塊，支持復(fù)雜溫度曲線的精確執(zhí)行，為多樣化工藝開發(fā)提供理想環(huán)境;

　　3、開放式工藝架構(gòu)，用戶可根據(jù)研發(fā)需求靈活調(diào)整工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)從材料成核到晶圓擴(kuò)大的全流程可控生長。

　　創(chuàng)新模式

　　工藝與設(shè)備的深度融合

　　作為《Science》論文的合作單位，極鉬芯科技深度參與了從工藝原理驗(yàn)證到設(shè)備系統(tǒng)優(yōu)化的全流程創(chuàng)新。此次在《Science》發(fā)表的成果，驗(yàn)證了極鉬芯科技在二維半導(dǎo)體專用生長裝備領(lǐng)域已達(dá)到國際先進(jìn)水平。經(jīng)南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)驗(yàn)證，Oxy-MOCVD 200 ultra生長的150毫米二硫化鉬單晶圓片單向疇對(duì)齊率超過99%，成功攻克晶圓級(jí)單晶制備難題。

　　值得關(guān)注的是，該技術(shù)體系采用工藝與設(shè)備深度融合的創(chuàng)新模式，將經(jīng)過驗(yàn)證的優(yōu)質(zhì)工藝方案直接賦能于設(shè)備系統(tǒng)，為用戶提供即插即用的先進(jìn)制程能力。基于該設(shè)備制備的器件展現(xiàn)出卓越的電學(xué)性能與一致性：室溫電子遷移率平均值達(dá)110 cm2·V-1·s-1，最高值突破160 cm2·V-1·s-1，器件良率達(dá)到100%。該設(shè)備已成功支持二硫化鉬、二硒化鉬、二硫化鎢、二硒化鎢等多種主流二維半導(dǎo)體材料的單晶生長，展現(xiàn)出廣泛的材料兼容性與工藝擴(kuò)展?jié)摿Α?/p>

　　戰(zhàn)略意義

　　以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

　　在當(dāng)前大國博弈與科技革命交織的復(fù)雜環(huán)境下，發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力成為把握戰(zhàn)略主動(dòng)的關(guān)鍵。本次二維半導(dǎo)體單晶制備技術(shù)的突破，正是響應(yīng)國家“十五五”規(guī)劃中關(guān)于強(qiáng)化科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈自主可控戰(zhàn)略要求的具體實(shí)踐。

　　該成果通過工藝與設(shè)備的深度融合創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)了從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的全鏈條突破。一方面，攻克了二維半導(dǎo)體單晶材料制備的技術(shù)瓶頸，為人工智能、未來信息等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)提供了關(guān)鍵材料支撐;另一方面，裝備的全面國產(chǎn)化與自主可控，有效提升了我國在集成電路領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)鏈安全性，為應(yīng)對(duì)國際技術(shù)競爭提供了重要保障。

　　這一創(chuàng)新突破體現(xiàn)了新質(zhì)生產(chǎn)力的核心特征——以科技創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。通過構(gòu)建產(chǎn)學(xué)研用深度融合的創(chuàng)新體系，不僅推動(dòng)了二維半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，更為我國在新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革中贏得先機(jī)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

　　未來，隨著該項(xiàng)技術(shù)在各領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，將有力推動(dòng)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展，為構(gòu)建自主可控的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系、掌握國家發(fā)展和國際競爭主動(dòng)權(quán)提供有力支撐。