產(chǎn)品頻道

簡介：東芝電流晶體管減少了系統(tǒng)的尺寸，具有較廣泛的應(yīng)用，范圍從便攜式到工業(yè)系統(tǒng)。

簡介：器件的溫度系數(shù)低至±150ppm/℃，采用緊湊的全密封IP67封裝，功率等級高達3W

簡介：Vishay推出業(yè)界最薄的表面貼裝車用TVS，厚度僅為1.1mm ，高功率器件采用TO-277A封裝，具有6.8V～43V的擊穿電壓和10.5V～61.9V的鉗位能力。

簡介：器件采用薄膜技術(shù)，具有低至±0.05％的容限，TCR低至±5ppm/K，外殼尺寸分別為0603、0805和1206

簡介：器件具有0.3ppm/℃的最大TCR、±0.005%（50ppm）的嚴格容差，在至少6年內(nèi)貨架壽命穩(wěn)定率為2ppm、注油器件的獨特結(jié)構(gòu)將應(yīng)力因素和潮濕的影響降至最小

簡介：新的芯片級封裝肖特基二極管100%利用空間，提供一流的電氣性能

簡介：推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容

簡介：該器件電壓范圍100V～600V，所采用的MicroSMP封裝厚度只有0.65mm

簡介：器件在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.27Ω、柵電荷僅為65nC

簡介：WSBS8518電池分流電阻采用專利技術(shù)的處理工藝，可產(chǎn)生100μΩ、125μΩ、和250μΩ這樣極低的阻值。

簡介：這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟＊2行業(yè)標準要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+（QDRTM II+）和雙數(shù)據(jù)速率II+（DDRII+）的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件

簡介：新的NCP5680集成型LED閃光和電源管理方案采用0.55 mm薄型封裝，延長電池使用壽命，并顯著提升數(shù)碼照片質(zhì)量

簡介：256抽頭數(shù)字可編程電位計（DPP™） IC提供50 kΩ及100 kΩ電阻選擇，穩(wěn)定度及可靠性更高

簡介：用以保護多功能便攜設(shè)備不受靜電放電（ESD）的影響,尺寸為0.6 × 0.3 mm, 比以往產(chǎn)品縮小了70%，實現(xiàn)了對于ESD的出色防護

簡介：產(chǎn)品在400MHz的頻率下運行，具有增強型外設(shè)功能，提高了系統(tǒng)性能并降低了成本

簡介：器件具有最高32V的電源電壓，以及高達+ 110℃的工作環(huán)境溫度，2.5mA的最大電流提高了熱和電源效率

簡介：具有低至±10ppm/℃的端到端TCR，在滑動端上的TCR為±25ppm/℃，負載壽命穩(wěn)定率為0.1%，可設(shè)定值小于0.05%；1/4平方英寸、RJ26型的器件滿足并超出MIL-PRF-22097標準F章的要求

簡介：新器件集成了兩個電阻，每個電阻的最大散熱功率為125mW；具有低至0.1 %的容差匹配，潮濕敏感度小于0.5%（85℃，85% RH；1000小時）

簡介：新的微型器件消除高帶寬阻礙使用傳統(tǒng)EMI濾波器的LVDS類接口中的共模噪聲

簡介：器件具有低至±10ppm/℃的端到端TCR、在滑動端上低至±25ppm/℃的TCR、0.1%的負載壽命穩(wěn)定率、達到并超出了MIL-PRF-39035標準H章的要求