產(chǎn)品頻道

簡介：本品為上海吉泰電阻器有限公司制造的ZJ06201制動電阻器，防護(hù)等級為Ip20。

簡介：本產(chǎn)品是鉭電容器和電化學(xué)電容器組成的混合電容器,電性能穩(wěn)定、可靠性高、壽命長、單位體積內(nèi)能量密度大。

簡介：本品中每只電阻器單獨出線，每組有5個引出端，共有40個引出端，引出端采用15A電氣端子。

簡介：英飛凌汽車MOSFET符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可以滿足260°C無鉛回流焊接溫度要求以及Q101汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求。

簡介：優(yōu)化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續(xù)開機”（always-on）應(yīng)用，如線纜調(diào)制解調(diào)器、衛(wèi)星接收機、數(shù)字機頂盒及電表。

簡介：英飛凌 最高功率密度和可靠性的新款緊湊式IGBT模塊

簡介：采用螺旋狀的高壓電瓷為骨架，具有良好的散熱功效，外型美觀，安裝方便。本產(chǎn)品設(shè)備放電、模擬負(fù)荷實驗等。

簡介：NCL30000采用緊湊型的8引腳表面貼裝封裝，使用臨界導(dǎo)電模式（CrM）反激架構(gòu)，以單段式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供大于0.95的高功率因數(shù)

簡介：安森美半導(dǎo)體 100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源（UPS）中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?/p>

簡介：Vishay功率MOSFET采用TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝，導(dǎo)通電阻僅有0.190Ω

簡介：英飛凌全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機驅(qū)動

簡介：瑞薩科技CRD5CM反向?qū)ňчl管在單個封裝內(nèi)整合了2個元件，實現(xiàn)了更小、成本更低的穩(wěn)壓器

簡介：該器件通過AEC-Q200認(rèn)證、具有2kV的ESD等級、低至±25ppm/℃的TCR和±0.1%的容差

簡介：新款Vishay Siliconix的60V SiM400采用1mm x 0.6mm的SOT-923封裝，為小信號應(yīng)用提供了節(jié)省空間的解決方案

簡介：PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設(shè)計的，包括在通信系統(tǒng)及測試測量儀器中的阻抗調(diào)諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。

簡介：安森美NCV840x系列器件采用 SOT-223、DPAK及SOIC8封裝，在嚴(yán)格的汽車及工業(yè)應(yīng)用環(huán)境中提供強固及可靠的驅(qū)動功能

簡介：可定制電路于5mm x 5mm方形扁平無引腳封裝，其端子間距為0.65mm，厚度為1mm，可節(jié)約30%～60%的印制電路板空間。

簡介：該器件采用Glass-to-Tantalum密封，可在+200℃的高溫下工作，ESR低至0.44Ω

簡介：新系列的MOSFET 利用安森美半導(dǎo)體獲市場驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導(dǎo)通阻抗[RDS（on）]及更高的開關(guān)性能

簡介：光電探測器的厚度僅為0.85mm、占位面積僅為1.25mm x 2.0mm，可檢測紫外光、可見光和紅外光，光譜帶寬為350nm～1120nm或750nm～1050nm、