產(chǎn)品頻道

簡介：這種無感器件的阻值范圍為0.3Ω～900kΩ，絕緣強度最高可達12kVrms；在+85℃下的散熱功率可達300W、600W和800W；占位面積為57mmx 60mm

簡介：雙端線性恒流穩(wěn)壓器為汽車、工業(yè)標識牌及建筑物LED照明應用提供簡單、經(jīng)濟及強固的穩(wěn)流

簡介：CAT5140：數(shù)字可編程電位計（DPP™），提供50 kΩ及100 kΩ端到端電阻

簡介：QPL RNC90Y和非QLP S555高可靠性箔電阻具有±0.005%的負載壽命穩(wěn)定率、±0.005%的容差和高達25kV的ESD免疫能力

簡介：高亮度器件提供了10K/W的低熱阻、29,700mcd的典型發(fā)光強度、87,400mlm～113,600mlm的光通量

簡介：在超級緊湊的LLP1713和LLP3313無引線封裝內(nèi)，Vishay新型四通道和八通道LC EMI/ESD濾波器陣列提供低于1db的輸入損耗

簡介：此款3.3mmx 3.3mm占位面積的器件在10V、4.5V和2.5V下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ

簡介：可促進具有更高可靠性與效率的嵌入式控制應用的開發(fā)

簡介：采用最新的CSTBT硅片技術(shù)，最好的熱阻性能， T（j-f）比競爭對手好一個等級

簡介：該器件將第三代P溝道TrenchFET®技術(shù)延伸至超小封裝，在2mmx2mm的占位面積內(nèi)用兩個20V P溝道功率MOSFET將導通電阻最多可減少44%

簡介：器件適用于航空、國防、航天應用；具有±2ppm/℃的典型TCR、±0.01%的容差、小于1秒的瞬時熱穩(wěn)定時間，工作2000小時后的負載壽命穩(wěn)定率為±0.005%（50ppm）

簡介：M34和M35器件提供了1.7μF/125V～220μF/6V的容量范圍和±20%的標準容差，在電壓降級情況下的最高溫度可達125℃

簡介：在節(jié)省空間的2.7mmx1.4mm的封裝內(nèi)，器件提供了高達30V的額定電壓和1A的電流密度

簡介：新型電感器具有 17.15 mm × 17.65 mm 的封裝尺寸、最大頻率達 2 MHz 且典型 DCR 低至 0.63 mΩ

簡介：該器件率先結(jié)合可耐受25 kV靜電放電、±0.005%（50 ppm）的長時間穩(wěn)定性及±0.2 ppm/C 典型 TCR 等特性；可耐受 100 循環(huán)的熱沖擊且漂移 < 20 ppm 及熱穩(wěn)定時間 < 1 秒

簡介：該器件采用 SO-8 封裝，在 10V 及 4.5V 時分別提供 1.9 mΩ 和 2.5 mΩ 的業(yè)內(nèi)最低導通電阻

簡介：可在特定電阻值范圍內(nèi)制造任何電阻值，且不會影響成本或供貨時間

簡介：采用次微米溝槽技術(shù)的新型器件采用 D-Pak 封裝，具有達 +175 °C 最大結(jié)溫、6 A 至 20 A額定電流范圍、小于 0.54 V 的超低典型正向壓降和低至 3 mA 的反向漏電流

簡介：器件低至 22 m 的 Z 值、高達 1500µF 的電容值及 3420mA 紋波電流、采用 14 種封裝尺寸，可實現(xiàn) +105°C 的高溫運行

簡介：新型器件將業(yè)內(nèi)最小尺寸、±0.2 ppm/°C 的 TCR、±0.01% 容差、可耐受高達 25 KV的靜電放電能力及在工作 2000 小時后 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性等性能集于一體