英飛凌告飛兆半導(dǎo)體侵權(quán)訴訟案達(dá)成和解協(xié)議
導(dǎo)語:英飛凌與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi),但協(xié)議的具體條款和條件保密
英飛凌科技股份公司宣布,公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月,英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。
通過廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可,雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議,飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi),但協(xié)議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國特拉華州地方法院,雙方已經(jīng)達(dá)成和解,并將申請撤訴。
作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖,英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進(jìn)行專利許可談判。英飛凌認(rèn)為,這些談判對持續(xù)保護(hù)其知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)利益至關(guān)重要。
更多相關(guān)資訊
中傳動(dòng)網(wǎng)版權(quán)與免責(zé)聲明:
凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動(dòng)網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權(quán)均為中國傳動(dòng)網(wǎng)(www.wangxinlc.cn)獨(dú)家所有。如需轉(zhuǎn)載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個(gè)人轉(zhuǎn)載使用時(shí)須注明來源“中國傳動(dòng)網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權(quán)屬于原版權(quán)人。轉(zhuǎn)載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負(fù)版權(quán)法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
下一篇:
?
中核科技發(fā)力核電關(guān)鍵閥門?
中核科技擬非公開發(fā)行股票融資不超過3.4億元,投資核電關(guān)鍵閥門生產(chǎn)能力擴(kuò)建、核化工專用閥門生產(chǎn)線技改和高端核級閥門鍛件生產(chǎn)基地建設(shè)