9月20日消息，據(jù)彭博社援引半導(dǎo)體專業(yè)分析機(jī)構(gòu)TechInsights的報(bào)道稱，在美國(guó)于2022年10月限制先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)華出口，并于2022年底將中國(guó)3D NAND Flash制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入實(shí)體清單近兩年之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍在穩(wěn)步發(fā)展，并已成功采用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備取代了部分美系半導(dǎo)體設(shè)備。

　　報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已轉(zhuǎn)向國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備應(yīng)商，如專門從事蝕刻設(shè)備的 中微公司(AMEC)、專注于沉積和蝕刻設(shè)備的北方華創(chuàng)(Naura)、沉積設(shè)備供應(yīng)商拓荊科技(Piotech)。

　　據(jù) TechInsights 稱，雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍繼續(xù)依賴 ASML 和 泛林集團(tuán)(Lam Research)等外國(guó)供應(yīng)商提供關(guān)鍵工具，但中國(guó)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商越來(lái)越多地承擔(dān)了生產(chǎn)流程的大部分。

　　近年來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了具有232層和高速接口的 Xtacking 3.0 和 Xtacking 4.0 架構(gòu)，使得其能夠與美光、三星和 SK 海力士等全球領(lǐng)導(dǎo)者進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，并具有足夠的競(jìng)爭(zhēng)力，可以為世界上一些最好的 SSD 提供支持。

　　盡管取得了這些進(jìn)展，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍面臨技術(shù)障礙。據(jù)彭博社和 TechInsights 報(bào)道，其最新的使用國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的3D NAND芯片比早期版本少了 70 層，而層數(shù)的減少主要因?yàn)槭褂脟?guó)產(chǎn)設(shè)備導(dǎo)致了制造過(guò)程中缺陷增多、良率降低。

　　不過(guò)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在發(fā)給彭博社的一封電子郵件中回應(yīng)稱，它正在不斷提高其產(chǎn)品性能，其最新設(shè)備中層數(shù)的變化與任何特定設(shè)備的產(chǎn)量無(wú)關(guān)。

　　對(duì)此，芯智訊也聯(lián)系了長(zhǎng)江存儲(chǔ)方面，對(duì)方也確認(rèn)了對(duì)于彭博社的回應(yīng)。

　　不管如何，可以肯定的是，隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造的3D NAND 的缺陷數(shù)量減少和良率提升，預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將持續(xù)增加國(guó)產(chǎn)設(shè)備制造的3D NAND 的層數(shù)。

　　隨著美國(guó)繼續(xù)收緊對(duì)先進(jìn)芯片和設(shè)備的出口管制，中國(guó)正在推動(dòng)在這一關(guān)鍵領(lǐng)域的自力更生。

　　值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最近甚至簽署了一項(xiàng)協(xié)議，為美國(guó)Patriot Memory 的一款高端PCIe Gen5x4 SSD提供 3D NAND，該 SSD 承諾以低價(jià)格提供高性能。

　　雖然 AMEC、Naura 和 Piotech 在更復(fù)雜的晶圓制造設(shè)備方面取得了穩(wěn)步進(jìn)展，慢慢縮小了與應(yīng)用材料(Applied Materials)和 泛林集團(tuán)(Lam Research)等美國(guó)領(lǐng)先公司的差距，但公眾很少公開看到他們的進(jìn)步，這主要是因?yàn)樗麄兒退麄兊目蛻舳紱](méi)有興趣向外界展示他們的最新進(jìn)展。

　　盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在采用更多的國(guó)產(chǎn)設(shè)備，特別是在國(guó)產(chǎn)設(shè)備有競(jìng)爭(zhēng)力的刻蝕和沉積設(shè)備方面，但目前中國(guó)的半導(dǎo)體制造業(yè)總體上仍繼續(xù)依賴外國(guó)設(shè)備，例如 ASML、應(yīng)用材料(Applied Materials)、科磊(KLA)、泛林集團(tuán)(Lam Research)和 Tokyo Electron 的設(shè)備。

　　另外需要指出的是，為了反擊來(lái)自美方的持續(xù)打壓，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正通過(guò)專向其美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光科技發(fā)起一系列訴訟來(lái)維護(hù)自身利益。

　　今年7月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)加利福尼亞州北部地區(qū)再度對(duì)美光提起訴訟，指控這家美國(guó)公司侵犯了其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)要求法院勒令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，同時(shí)支付專利使用費(fèi)。

　　而在更早之前的2023年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美光及其子公司美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控它們侵犯了其8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國(guó)專利。

　　此外，今年6月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在美國(guó)加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓(Roslyn Layton)散布虛假信息，破壞長(zhǎng)江存儲(chǔ)的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。