當前，臺積電所倚重的超級電軌(Super Power Rail)架構(gòu)，以其卓越的性能與效率，被業(yè)界公認為解決高性能計算(HPC)產(chǎn)品復雜信號傳輸與密集供電需求的直接且高效途徑。
該架構(gòu)即將在A16制程工藝上迎來大規(guī)模應用，預示著半導體性能與能效的新飛躍。相較于傳統(tǒng)的N2P工藝，超級電軌架構(gòu)在相同工作電壓下，性能提升可達8-10%;反之，在維持相同速度的前提下，功耗顯著降低15-20%，同時實現(xiàn)了1.1倍的密度提升。
值得注意的是，背面供電技術(shù)的實現(xiàn)離不開一系列關鍵性技術(shù)突破。其中，最為關鍵的一環(huán)在于將芯片背面精細拋光至足以與晶體管實現(xiàn)緊密接觸的極限厚度，這一過程雖精妙絕倫，卻不可避免地削弱了晶圓的機械強度。
為應對這一挑戰(zhàn)，臺積電在正面拋光后巧妙引入了載體晶圓粘合技術(shù)，以穩(wěn)固支撐后續(xù)的背面制造工藝，確保了制程的順利進行。
此外，納米硅通孔(nTSV)等前沿技術(shù)的融入，也對設備精度與工藝控制提出了更高要求。為確保納米級孔道內(nèi)銅金屬的均勻沉積，臺積電需投入更多高端設備，以支撐這一精密且復雜的制造流程。
隨著臺積電超級電軌架構(gòu)的逐步量產(chǎn)，其不僅將引領半導體性能與能效的新一輪競賽，更將帶動整個供應鏈上下游的協(xié)同發(fā)展，為整個行業(yè)注入強勁的增長動力。
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