7月1日，純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布已收購(gòu)Tagore專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。

　　資料顯示，無(wú)晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。

　　格芯表示，此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì)，可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求，同時(shí)提高或保持電力效率、降低成本并控制熱量產(chǎn)生。

　　格芯還表示，此次收購(gòu)擴(kuò)大了格芯的電源IP產(chǎn)品組合，并拓寬市場(chǎng)領(lǐng)先的GaN IP的獲取渠道，使格芯客戶能夠快速將差異化產(chǎn)品推向市場(chǎng)。作為收購(gòu)的一部分，一支來自Tagore的經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師團(tuán)隊(duì)將加入格芯，他們致力于開發(fā)GaN技術(shù)。

　　今年上半年，有不少關(guān)于格芯的消息。2月9日，格芯和通用汽車宣布簽署了長(zhǎng)期協(xié)議。2月19日，美國(guó)政府宣布向格芯(Global Foundries)提供15億美元資金補(bǔ)貼，根據(jù)與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成的初步協(xié)議，格芯將在美國(guó)紐約州馬耳他建立一個(gè)新的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，并擴(kuò)大在馬耳他和佛蒙特州伯靈頓的現(xiàn)有業(yè)務(wù)。此外，除了15億美元的補(bǔ)貼之外，政府還將提供給格芯16億美元的貸款，最后帶動(dòng)的投資可能在120億美元左右。針對(duì)格芯補(bǔ)貼，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)雷蒙多說，格芯馬耳他工廠的擴(kuò)建將確保通用汽車(GM)等汽車供應(yīng)商和制造商能取得穩(wěn)定的的芯片供給。

　　6月底，BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系，以加強(qiáng)美國(guó)國(guó)家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司將就增加美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長(zhǎng)期戰(zhàn)略進(jìn)行合作，雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng)，主要針對(duì)航空航天和國(guó)防系統(tǒng)的安全芯片及解決方案。兩家公司將參與新興技術(shù)的長(zhǎng)期規(guī)劃，并在一系列領(lǐng)域進(jìn)行研發(fā)合作，涵蓋先進(jìn)半導(dǎo)體封裝和集成、硅基氮化鎵(GaN-on-Si)、硅光子學(xué)和先進(jìn)技術(shù)工藝開發(fā)。

　　目前，GaN功率元件市場(chǎng)的發(fā)展主要由消費(fèi)電子所驅(qū)動(dòng)，核心仍在于快速充電器，其他消費(fèi)電子場(chǎng)景還包括D類音頻、無(wú)線充電等。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。