近日，據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)道，阿斯麥(ASML)將針對(duì)1納米以下制程，計(jì)劃在2030年推出更先進(jìn)Hyper-NA EUV光刻機(jī)設(shè)備，但可能超過(guò)7.24億美元一臺(tái)的售價(jià)會(huì)讓臺(tái)積電、三星、英特爾等半導(dǎo)體晶圓代工廠商望而卻步。

　　約123億美元，臺(tái)積電今明兩年訂購(gòu)60臺(tái)EUV

　　在AI人工智能、汽車電子等產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸向好。

　　當(dāng)前，臺(tái)積電、三星、英特爾等晶圓代工廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)已進(jìn)入先進(jìn)制程賽道，在此過(guò)程中，擁有更多先進(jìn)制程所用的EUV極紫外光刻設(shè)備對(duì)廠商而言起著至關(guān)重要的作用。

　　臺(tái)積電作為全球最大的晶圓代工廠商，其在搶奪EUV光刻機(jī)方面也顯示出了強(qiáng)大的購(gòu)買力。據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道，2024-2025兩年，臺(tái)積電將接受60臺(tái)EUV光刻機(jī)，預(yù)估總投資額將超新臺(tái)幣4000億元(約122.7億美元)。

　　ASML是全球最大的光刻設(shè)備廠商，其對(duì)2025年規(guī)劃的產(chǎn)能目標(biāo)是，90臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)、600臺(tái)DUV深紫外光刻機(jī)和20臺(tái)High-NA EUV高數(shù)值孔徑光刻機(jī)。

　　晶圓代工廠商頭疼?Hyper-NA EUV售價(jià)或超7.24億美元

　　據(jù)悉，目前EUV光刻機(jī)的售價(jià)約為1.81億美元每臺(tái)，新一代的High-NA EUV倍增至2.9至3.62億美元一臺(tái)，Hyper-NA EUV光刻機(jī)售價(jià)則有可能超過(guò)7.24億美元。

　　如此高昂的光刻機(jī)費(fèi)用，對(duì)大部分半導(dǎo)體廠商而言無(wú)疑是一種負(fù)擔(dān)。例如2023年半導(dǎo)體廠商英特爾代工業(yè)務(wù)虧損70億美元，其中，采用下一代EUV光刻機(jī)而造成成本負(fù)擔(dān)便是原因之一。

　　此外，臺(tái)積電也曾多次表示下一代EUV設(shè)備價(jià)格太貴。據(jù)悉，臺(tái)積電高級(jí)副總裁張曉強(qiáng)今年5月在技術(shù)研討會(huì)上評(píng)論ASML最新高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)(High-NA EUV)時(shí)指出，“這個(gè)價(jià)格實(shí)在太高了?！北M管對(duì)光刻機(jī)的性能表示滿意，但其高達(dá)3.5億歐元的售價(jià)令人望而卻步。其甚至表示，A16先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)并不一定需要EUV。

　　不過(guò)，進(jìn)入1納米以下的埃米世代后，ASML即將推出的Hyper-NA EUV光刻機(jī)設(shè)備售價(jià)可能會(huì)讓臺(tái)積電等廠商更加“頭疼”。

　　對(duì)此，ASML亦有自己的考量，ASML認(rèn)為，Hyper-NA是未來(lái)埃米級(jí)制程的必要設(shè)備，其進(jìn)一步指出，許多公司將采用Hyper-NA EUV，以降低多重圖形化制程的風(fēng)險(xiǎn)。

　　至于未來(lái)ASML能否降低售價(jià)維系合作，亦或是臺(tái)積電、三星、英特爾等頂住壓力繼續(xù)高額采購(gòu)，這場(chǎng)設(shè)備與制造廠商之間的拉鋸戰(zhàn)結(jié)果如何，尚需時(shí)間驗(yàn)證!