半導體行業(yè)出現(xiàn)六項合作案!

時間:2024-06-03

來源:全球半導體觀察

導語:自半導體行業(yè)復蘇信號釋出后,業(yè)界布局不斷,其中不乏出現(xiàn)聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團等企業(yè)身影,涉及晶圓代工、第三代半導體、芯片設(shè)計、半導體材料等領(lǐng)域。針對半導體行業(yè)頻繁動態(tài),業(yè)界認為,這是一個積極的現(xiàn)象,有利于行業(yè)發(fā)展。近期,半導體企業(yè)合作傳來新的進展。

       自半導體行業(yè)復蘇信號釋出后,業(yè)界布局不斷,其中不乏出現(xiàn)聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團等企業(yè)身影,涉及晶圓代工、第三代半導體、芯片設(shè)計、半導體材料等領(lǐng)域。針對半導體行業(yè)頻繁動態(tài),業(yè)界認為,這是一個積極的現(xiàn)象,有利于行業(yè)發(fā)展。近期,半導體企業(yè)合作傳來新的進展。

  晶圓代工:聯(lián)電x英特爾曝進展,12nm預計2026年“收官”

  5月30日,晶圓代工大廠聯(lián)電召開年度股東會,共同總經(jīng)理簡山杰表示,與英特爾合作開發(fā)12nm制程平臺將是聯(lián)電未來技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵點,預計2026年開發(fā)完成,2027年進入量產(chǎn)。

  2024年1月,聯(lián)電與英特爾宣布雙方將合作開發(fā)12nm FinFET制程平臺,以因應移動、通訊基礎(chǔ)建設(shè)和網(wǎng)絡(luò)等市場的快速成長。雙方認為,這項長期合作結(jié)合英特爾位于美國的大規(guī)模制造產(chǎn)能,和聯(lián)電在成熟制程上豐富的晶圓代工經(jīng)驗,以擴充制程組合,同時提供更佳的區(qū)域多元且具韌性的供應鏈,協(xié)助全球客戶做出更好的采購決策。

  對此,先前聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾經(jīng)表示,聯(lián)電與英特爾進行在美國制造的12nm FinFET制程合作,是聯(lián)電追求具成本效益的產(chǎn)能擴張,和技術(shù)節(jié)點升級策略的重要一環(huán),此舉并延續(xù)聯(lián)電對客戶的一貫承諾。這項合作將協(xié)助客戶順利升級到此關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點,同時受惠于擴展位于北美市場產(chǎn)能帶來的供應鏈韌性。聯(lián)電期待與英特爾展開策略合作,利用雙方的互補優(yōu)勢,以擴大潛在市場,同時大幅加快技術(shù)發(fā)展時程。

  簡山杰在本次股東會上指出,聯(lián)電正開積極開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺相對于前一代的14nm FinFET制程技術(shù)平臺,除性能將大幅提升之外,芯片的尺寸也將變小,功耗能進一步降低,可充分發(fā)揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優(yōu)勢、可廣泛用于各種半導體產(chǎn)品上。聯(lián)電預計,12nmFinFET制程技術(shù)平臺預計2026年開發(fā)完成,2027年進入量產(chǎn)。

  除了制程研發(fā),聯(lián)電也正在加速產(chǎn)能進程,5月21日,聯(lián)電宣布新加坡Fab12i首批機臺設(shè)備進廠。聯(lián)電表示,聯(lián)電新加坡投入12英寸晶圓制造廠營運超過20年,新加坡Fab12i P3廠也是聯(lián)電先進特殊制程研發(fā)中心。

  此外,展望2024年第二季,聯(lián)電表示,隨著電腦、消費及通訊領(lǐng)域的庫存狀況逐漸回到較為健康的水位,聯(lián)電預期整體晶圓出貨量將略為上升。在車用和工業(yè)領(lǐng)域方面,由于庫存消化速度低于預期,需求仍舊低迷。盡管短期間仍將受到總體經(jīng)濟環(huán)境的不確定性和成本壓力的影響,聯(lián)電仍將在技術(shù)、產(chǎn)能及人才方面持續(xù)投資,以確保我們能夠做好充分準備,迎接下一階段5G和AI創(chuàng)新所驅(qū)動的成長。

  氮化鎵:佳恩半導體x西安電子科技大學

  5月28日,青島佳恩半導體有限公司(以下簡稱“佳恩半導體”)與西安電子科技大學戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。

  資料顯示,青島佳恩半導體有限公司一直致力于高端半導體功率器件的設(shè)計、開發(fā)、制造及銷售,作為新一代的功率半導體設(shè)計公司,佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導體核心技術(shù),擁有自主知識產(chǎn)權(quán)和自主品牌。

  佳恩半導體表示,此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN(氮化鎵)功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與特性仿真,獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù),基于氮化鎵器件制造平臺開展器件核心工藝實驗研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制,針對氮化鎵功率器件特點,開展器件仿真研究,揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián),開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。

  與傳統(tǒng)硅材料相比,基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉(zhuǎn)換效率,并可以使系統(tǒng)小型化、輕量化,有效降低電力電子零部件體積和重量。當前,氮化鎵(GaN)應用市場逐步擴展,正向數(shù)據(jù)中心、可再生能源以及新能源汽車市場持續(xù)推進,未來前景廣闊。

  據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢研究指出,到2026年,全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長至13.3億美金,復合增長率高達65%。

  集邦咨詢預計,至2025年左右,GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中,再遠到2030年,OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。

  碳化硅:X-Fab和Soitec將在美國得州展開合作

  近日,Soitec宣布,將與純晶圓代工廠X-Fab開始合作,在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供Soitec的SmartSiC技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。

  此次合作是在評估階段成功完成之后進行的,在此期間,X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過聯(lián)合供應鏈寄售模式為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權(quán)。

  據(jù)悉,Soitec正在其位于法國格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大Smart SiC襯底的產(chǎn)量。而X-Fab正在拉伯克工廠提高SiC器件的生產(chǎn)能力。

  碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導體材料,具有固有特性,在功率應用中比硅具有卓越的性能和效率。隨著新能源汽車、光儲充等市場需求推動,SiC功率器件用量持續(xù)走高。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元,至2028年有望上升至91.7億美元,CAGR達25%。

  半導體材料:南京大學x江蘇富樂德半導體

  據(jù)東臺高新區(qū)消息,5月26日,“南京大學—江蘇富樂德半導體洗凈校企聯(lián)合研究中心”揭牌儀式在富樂德石英東臺工廠舉行。

  該中心由江蘇富樂德石英科技有限公司和南京大學合作共建,雙方將圍繞“半導體非金屬零部件洗凈”領(lǐng)域,基于研究團隊在化學、材料等技術(shù)方向的研發(fā)積累,重點聚焦于半導體、太陽能、光刻機相關(guān)產(chǎn)業(yè)方向展開深入研究,致力于關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)化、高端人才匯聚、智慧應用方案落地。

  資料顯示,江蘇富樂德石英科技有限公司于2018年落戶東臺高新區(qū),主要從事磁性流體、熱電半導體致冷材料與器件、精密石英等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品廣泛應用于半導體芯片、大規(guī)模集成電路、汽車、航空航天、醫(yī)療器械等行業(yè)。

  據(jù)官網(wǎng)信息,F(xiàn)errotec(中國)從事半導體硅片、熱電半導體致冷材料與器件、半導體石英制品、精密陶瓷制品、半導體真空傳動裝置及大型腔體、電子束蒸發(fā)鍍膜機、精密洗凈、覆銅陶瓷基板(DCB、AMB、DPC)、半導體裝備、單晶爐等產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售,產(chǎn)品涉及電子、半導體、機械加工、太陽能發(fā)電、汽車/新能源汽車、家用電器和醫(yī)療器械等眾多領(lǐng)域。

  其中,關(guān)于洗凈再生技術(shù),F(xiàn)errotec(中國)官網(wǎng)指出,該技術(shù)是通過化學和物理的方法把精密parts上的膜質(zhì)或其它粒子清除掉,再運用物理與化學拋光、噴砂、熱噴涂和電鍍表面處理的方法再生處理parts表面,使其達到循環(huán)再使用的功能。Ferrotec(中國)重點洗凈項目包括半導體12nm清洗,該公司主要致力研發(fā)半導體12nm logic的清洗工藝,并保證工藝穩(wěn)定性,以達到量產(chǎn)目的。

  芯片設(shè)計:芯鼎科技x日本AI方案商

  近日,神盾集團旗下IC設(shè)計廠商芯鼎科技宣布,與日本領(lǐng)先的AI方案商達成設(shè)計委托合作,將委托芯鼎科技采用ISP Solution SoC系統(tǒng)芯片方案平臺來為其開發(fā)最新一代的視覺圖像處理系統(tǒng)芯片SoC。

  芯鼎科技表示,此次合作代表著公司正式進入ISP的ASIC設(shè)計服務領(lǐng)域,增加未來營運成長動能。

  此設(shè)計委托案將結(jié)合策略伙伴先進的立體視覺及AI引擎與芯鼎科技的圖像處理系統(tǒng)芯片平臺,包括ThetaEye AI圖像信號處理(AI-ISP)知識產(chǎn)權(quán),及所有AI影像處理壓縮與通訊傳輸儲存顯示等系統(tǒng)運作功能模塊。

  資料顯示,芯鼎科技股份有限公司成立于2009年,從事數(shù)位相機圖像圖像及視訊處理芯片設(shè)計開發(fā)及銷售,應用在數(shù)位相機、運動相機、行車記錄儀與居家監(jiān)控相機領(lǐng)域。

  目前,芯鼎科技已與多個客戶進行客制化系統(tǒng)芯片方案平臺設(shè)計服務的討論,開拓ThetaEye AI芯片設(shè)計服務業(yè)務的發(fā)展。

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