5月9日，據(jù)湖南三安半導體消息，湖南三安半導體董事長林志東近日作為中國半導體企業(yè)代表應邀參加了中法企業(yè)家委員會第六次會議。

　　在法期間，林志東介紹了湖南三安SiC項目最新進展。據(jù)介紹，位于湖南湘江新區(qū)的湖南三安半導體責任有限公司，2020年落戶長沙，僅用一年時間就點火試產。目前，一期已經(jīng)全線投產，目前SiC年產能已達到25萬片(6英寸)。二期正在建設中，將全部導入8英寸生產設備和工藝，計劃今年三季度投產。整個項目達產后將實現(xiàn)總計年產48萬片的規(guī)模。

　　據(jù)悉，該項目作為國內首個、世界第三個SiC全產業(yè)鏈整合研發(fā)與制造項目，總投資160億元，規(guī)劃用地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產權，以SiC、GaN等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業(yè)鏈生產與研發(fā)基地，業(yè)務涵蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié)。該項目一期于2020年7月破土動工，2021年6月23日正式投產，并于同年11月量產下線SiC SBD全系列產品。2022年7月，該項目二期工程開工。

　　產品方面，湖南三安的SiC系列產品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應用。目前，湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產品，已廣泛應用于光伏逆變器、充電樁、電源以及新能源汽車等領域并形成批量出貨，累計出貨量超2億顆;SiC MOSFET方面，湖南三安已推出針對新能源汽車主驅的1200V 16mΩ車規(guī)級產品，目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進行模塊驗證;湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重點客戶批量導入。

　　此外，湖南三安今年4月在第十八屆北京國際車展上展示了1200V 8mΩ SiC MOSFET，這款產品是湖南三安目前1200V電壓平臺最小導通電阻、最大額定電流產品。

　　合作方面，湖南三安與維諦技術于3月28日宣布達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，雙方將共同推動數(shù)據(jù)中心、通信網(wǎng)絡等領域的創(chuàng)新與發(fā)展?；诖?，湖南三安SiC業(yè)務有望向數(shù)據(jù)中心、通信等領域加速滲透。