三星和蔡司合作深化EUV研發(fā)

　　三星電子正在與蔡司集團深化在下一代極紫外(EUV)光刻技術(shù)和芯片技術(shù)領(lǐng)域的合作。

　　三星電子執(zhí)行董事長李在镕在訪問位于奧伯科亨的全球光學和光電子技術(shù)集團總部時，與蔡司公司總裁兼首席執(zhí)行官Karl Lamprecht及其他高管進行了會晤。

　　雙方同意擴大在EUV技術(shù)和尖端半導體設(shè)備研發(fā)方面的合作，以進一步增強在代工和存儲芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競爭力。

　　作為全球頂尖的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)芯片生產(chǎn)商，三星電子與蔡司集團在EUV技術(shù)方面擁有廣泛的合作基礎(chǔ)。

　　通過與蔡司集團深化合作，三星電子期望改進其下一代半導體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造工藝，并提高先進芯片的產(chǎn)量。

　　通過這次合作，三星希望提升下一代半導體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造流程，提高先進芯片的生產(chǎn)良率。

　　蔡司還計劃到2026年投資480億韓元在韓國建設(shè)研發(fā)中心，加強同三星等韓企的戰(zhàn)略合作，以建立其首個海外研究工作站，專注于解決方案研發(fā)。

　　三星電子的目標是推動3納米以下的微制造工藝技術(shù)的發(fā)展，并計劃在今年采用EUV光刻技術(shù)量產(chǎn)第六代10納米DRAM芯片。

　　此外，該公司還計劃在東北亞地區(qū)建立首個先進邏輯和存儲芯片流程控制解決方案研發(fā)中心，以滿足該地區(qū)對光學解決方案不斷增長的需求。

　　蔡司的決定，源于韓國半導體行業(yè)以及電池和電動汽車行業(yè)對光學解決方案的旺盛需求。

　　蔡司亦提供光觸發(fā)器解決方案，該方案在光刻過程中具有關(guān)鍵性作用。光觸發(fā)器是一種具有透明區(qū)域和特定圖案的不透明板或薄膜。

　　蔡司集團是全球領(lǐng)先的極紫外(EUV)光系統(tǒng)供應(yīng)商ASML Holding NV的唯一光學系統(tǒng)供應(yīng)商，對于全球芯片產(chǎn)業(yè)，特別是代工芯片制造商如臺積電和三星電子等具有重要影響力。

　　全球光刻機光學市場規(guī)模達35億美元，蔡司一家獨大。光刻機光學部件指直接參與光的傳輸和處理過程精密零部件。

　　蔡司的半導體制造技術(shù)部門是其主要業(yè)務(wù)，營收逐年增長。2020年始，半導體部門超越其他部門成為蔡司的核心光學部門。

　　蔡司的四大業(yè)務(wù)部門在2022年實現(xiàn)營收28、21、23、16億歐元，占比分別為31%、24%、26%、18%。

　　半導體光學營收逐年增長，且增速較其他部門始終維持高位。2015-2022財年半導體光學營收從8.9增至27.6億歐元，CAGR達17%。

　　首臺High-NA EUV光刻機正式交貨

　　據(jù)相關(guān)報道，ASML Holding NV已開始向英特爾公司運送其最新芯片制造機的主要部件。

　　這一重要進展標志著雙方合作關(guān)系的進一步深化，并將對半導體行業(yè)產(chǎn)生深遠影響。

　　據(jù)不愿透露姓名的知情人士透露，該高數(shù)值孔徑極紫外線系統(tǒng)已順利運抵英特爾位于俄勒岡州的D1X工廠。

　　然而，英特爾和ASML的發(fā)言人對于該系統(tǒng)的具體目的地保持緘默，未發(fā)表任何評論。

　　ASML在去年的聲明中明確指出，英特爾計劃于2025年開始生產(chǎn)該系統(tǒng)。

　　D1X工廠作為英特爾研發(fā)未來生產(chǎn)技術(shù)的關(guān)鍵設(shè)施，對于提升公司競爭力具有重要意義。

　　去年九月份，ASML宣布計劃在今年年底前推出業(yè)界首款高數(shù)值孔徑極紫外(EUV)光刻掃描儀。

　　這一創(chuàng)新成果為下一代EUV光刻機的開發(fā)帶來了希望之光。

　　ASML的高數(shù)值孔徑掃描儀將顛覆傳統(tǒng)半導體工廠的配置模式。

　　新型光學器件和更大規(guī)模的新光源需求，將促使工廠結(jié)構(gòu)發(fā)生變革，進而引發(fā)大規(guī)模投資熱潮。

　　英特爾最初計劃在其18A(1.8nm)生產(chǎn)節(jié)點中采用ASML的High-NA工具，并定于2025年進行大規(guī)模生產(chǎn)。

　　然而，隨著ASML預(yù)計交付其Twinscan EXE:5200，英特爾決定將18A生產(chǎn)的開始時間推遲至2024年下半年。

　　為實現(xiàn)這一目標，英特爾選擇了ASML的Twinscan NXE:3600D/3800E進行兩次曝光，并與應(yīng)用材料公司的Endura Sculpta圖案成形系統(tǒng)相結(jié)合，以降低EUV雙圖案化的使用頻率。

　　與此同時，三星代工廠和臺積電亦計劃于2025年末在其2納米級節(jié)點(SF2、N2)上開始芯片生產(chǎn)。

　　盡管High NA機器如何納入他們的生產(chǎn)計劃尚存疑問，但可以預(yù)見的是，這一技術(shù)將對整個行業(yè)產(chǎn)生重要影響。

　　除了英特爾公司外，臺積電、三星、SK海力士以及美光等全球知名企業(yè)亦已訂購了這款高端設(shè)備。

　　然而，鑒于該設(shè)備的運輸和安裝流程可能耗時長達六個月，英特爾公司的這一決策無疑使其在行業(yè)內(nèi)獲得了至少半年的領(lǐng)先優(yōu)勢。

　　根據(jù)媒體的相關(guān)報道，臺積電、三星、美光等知名企業(yè)，除了英特爾之外，亦向ASML公司訂購了先進的High NA EUV光刻機。

　　在ASML公司最近公布的財報中，顯示今年第一季度公司新增訂單總額達到36億歐元，其中EUV光刻機訂單金額為6.56億歐元。

　　此外，ASML近期成功交付了第二臺High NA EUV光刻機，但并未公開透露具體買家信息。

　　結(jié)尾：

　　三星電子為獲取新一代EUV光刻機，早在2022年即由董事長李在镕出面與ASML達成合作意向，并簽署了引進EUV光刻設(shè)備和高數(shù)值孔徑(NA) EUV光刻機設(shè)備的協(xié)議。

　　另一方面，臺積電亦表明，他們計劃在2024年獲得ASML新一代High-NA EUV光刻機，并預(yù)計在2025年正式開始量產(chǎn)2納米芯片。