2月20日，據(jù)日刊工業(yè)新聞報道，電子元器件廠商Qualtec將于2027年開始大規(guī)模生產(chǎn)超寬帶隙半導體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。
據(jù)了解，GeO2被認為是下一代功率半導體，并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物半導體的候選者。與SiC相比，GeO2制成的功率半導體在高電壓和高輸出范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好性能的潛力。
目前，該公司正在與主要開發(fā)商Patentix合作，以盡快將其推向市場。
Qualtec計劃在2027年之前提供用于設(shè)備原型開發(fā)的2英寸外延晶圓樣品。與此同時，該公司還將努力把用于大規(guī)模生產(chǎn)的襯底直徑增加到4-6英寸。通過利用Patentix的研究成果，讓GeO2晶圓直徑增大的同時，也有望實現(xiàn)缺陷更少且低成本的薄膜沉積。
值得一提的是，2023年12月，Qualtech向立命館大學創(chuàng)業(yè)公司Patentix投資5000萬日元(折合人民幣約239萬元)，結(jié)成資本與業(yè)務(wù)聯(lián)盟。8月，該公司在草津市開設(shè)實驗室，以支持Patentix的研發(fā)，并正在考慮GeO2外延片的制造。由GeO2晶圓制成的器件預計將應(yīng)用于電源、電機和逆變器上。
目前，參與以Patentix為中心的“琵琶湖半導體計劃”的公司數(shù)量正在不斷增加，該計劃目標是盡快實現(xiàn)GeO2功率半導體的商業(yè)化。Qualtech將加速開發(fā)GeO2外延片量產(chǎn)技術(shù)并推進其實際應(yīng)用。
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