美國東部當(dāng)?shù)貢r間3月2日下午2:05,英飛凌官宣收購氮化鎵初創(chuàng)公司GaN Systems,交易總值8.3億美元現(xiàn)金(57億人民幣)。
根據(jù)英飛凌官網(wǎng)消息,他們與GaN Systems公司宣布,雙方已簽署最終協(xié)議,英飛凌將以8.3億美元(約合人民幣57.39億元)收購GaN Systems。根據(jù)公告,英飛凌計劃以全現(xiàn)金收購GaN Systems,資金將來自現(xiàn)有的流動資金。據(jù)了解,GaN Systems是GaN功率半導(dǎo)體廠商,擁有廣泛的晶體管產(chǎn)品組合,可滿足當(dāng)今最苛刻行業(yè)的需求,包括消費電子產(chǎn)品、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和電源、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電機和汽車電子產(chǎn)品。該公司總部位于加拿大渥太華,公司現(xiàn)擁有200多名員工,這就意味著按照員工數(shù)量的收購價格約為4百萬美元每位員工。根據(jù)《2022氮化鎵功率與射頻產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》,GaN Systems在2021年的市場份額排全球第二。
GaN Systems的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品在消費電子產(chǎn)業(yè)已做出實績,受到包含戴爾(Dell)、三星(Samsung)、雷蛇(Razer)等國際手機、筆電大廠的采用;除此之外,在車用、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及航天等高可靠(HiRel)市場布局更是領(lǐng)先業(yè)界,與一線車廠寶馬、豐田、Vitesco Technologies策略合作,加速氮化鎵功率半導(dǎo)體的利基應(yīng)用落地。
英飛凌首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示:“GaN 技術(shù)正在為支持脫碳的更節(jié)能的CO2解決方案鋪平道路。在移動充電、數(shù)據(jù)中心電源、住宅太陽能逆變器和電動汽車車載充電器等應(yīng)用中的采用正處于轉(zhuǎn)折點,導(dǎo)致充滿活力的市場增長,基于無與倫比的研發(fā)資源、應(yīng)用理解和客戶項目管道,收購 GaN Systems 將顯著加快我們的 GaN 路線圖。按照我們的戰(zhàn)略,合并將通過掌握所有相關(guān)電源技術(shù)進一步加強英飛凌在電源系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位,成為它在硅、碳化硅或氮化鎵上。GaN Systems 首席執(zhí)行官 Jim Witham 表示:“GaN Systems 團隊很高興與英飛凌合作,在匯集互補優(yōu)勢的基礎(chǔ)上打造高度差異化的客戶產(chǎn)品。憑借我們在提供卓越解決方案方面的共同專業(yè)知識,我們將以最佳方式利用 GaN 的潛力?!盙aN:在開關(guān)電源和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢
GaN 制造被稱為功率半導(dǎo)體的組件,在硅上沉積一種稱為氮化鎵的化合物,以生產(chǎn)比現(xiàn)有的純硅晶體管芯片更小、更輕的組件,但由于它們將高壓功率轉(zhuǎn)換為內(nèi)部可用電流,因此速度更快、更節(jié)能機器。在開關(guān)電源方面,通過讓它們以高頻開關(guān),可以縮小電感器和其他外圍元件的尺寸。
GaN器件有望應(yīng)用于1kW或更低的電源,適用于對緊湊設(shè)計要求很高的領(lǐng)域。如,在第五代移動通信系統(tǒng)(5G)中,GaN裝置有望用作基站的電源,這一市場預(yù)計在未來幾年將擴大。隨著USB電源傳輸標(biāo)準(zhǔn)(USB PD)的建立,可以通過USB電纜接收和提供高達100W的電源容量,從而使智能手機的充電器等變得標(biāo)準(zhǔn)化。傳統(tǒng)上,小型化的智能手機充電器一直是首選。GaN器件是最適合實現(xiàn)這一目標(biāo)的器件,未來GaN器件的推廣速度有望加快。其實,與硅基功率半導(dǎo)體市場相比,目前功率GaN市場仍然很小,但因其適用于高性能和高頻率解決方案,已顯示出巨大的增長潛力。事實上,蘋果公司對基于GaN技術(shù)的無線充電解決方案感興趣。如果蘋果一旦采用功率GaN器件用于電源應(yīng)用,眾多手機公司必將追隨,GaN功率市場必然迎來增長。隨著GaN功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,越來越多的公司加入GaN產(chǎn)業(yè)鏈,有初創(chuàng)公司EPC、Transphorm、Navitas等,這些初創(chuàng)公司大多選擇代工廠制造模式,主要使用臺積電、Episil或X-FAB作為代工伙伴。行業(yè)巨頭如英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、松下和德州儀器采用IDM模式。2021年3月11日,我國“十四五”規(guī)劃綱要決議通過。決議明確指出,將發(fā)展碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)寬禁帶半導(dǎo)體材料作為科技前沿領(lǐng)域重點攻關(guān)對象。