近日，納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)在納斯達(dá)克成功上市。據(jù)介紹，這是全球首家以氮化鎵功率芯片為核心業(yè)務(wù)并成功上市的公司，同時也是全球首家在7年內(nèi)(公司成立于2014年)完成上市的功率半導(dǎo)體企業(yè)。
公司官網(wǎng)顯示，納微半導(dǎo)體專注于氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的開發(fā)。所謂氮化鎵，是指由鎵和氮結(jié)合而成的化合物。相比于傳統(tǒng)的硅，氮化鎵可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度，并且氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
根據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，截至最新，納微半導(dǎo)體在全球126個國家/地區(qū)中，共有21件專利申請，其中授權(quán)發(fā)明專利共8件。
以專利被引用次數(shù)的角度看，納微半導(dǎo)體的專利在行業(yè)中已產(chǎn)生一定的技術(shù)影響力。該公司被引用次數(shù)最多的一件的專利是“Half bridge power conversion circuits using GaN devices使用GaN器件的半橋功率轉(zhuǎn)換電路”(公開號：US9685869B1)。
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