今日，三星宣布已開始量產基于極紫外光(EUV)技術的14納米DRAM芯片。繼去年3月推出首款EUV DRAM后，此次三星將使用EUV的層數增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優(yōu)質、先進的DRAM工藝。
DDR5是當前最新的計算機內存規(guī)格。2020年7月，JEDEC協(xié)會正式公布了DDR5標準。與DDR4相比，具有更高的性能和更低的功耗。三星的14納米DRAM將有助于釋放出之前產品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。
隨著DRAM工藝不斷縮小至10納米范圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖形準確性，從而使芯片具有更高性能，獲得更大產量。通過在14納米DRAM中應用5個EUV層，三星可以獲得更高的單位容量，整體晶圓生產率提升了約20%。與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝還可降低近20%的功耗。
三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示：“三星通過多層EUV技術，實現(xiàn)了更加微型化的14納米工藝，而這是傳統(tǒng)氟化氬(ArF)工藝無法做到的。在此基礎上，三星將繼續(xù)提供極具差異化的內存解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等數據驅動的時代對更高性能和更大容量的需求?！?/p>
三星計劃擴展其14納米DDR5產品組合，以支持數據中心、超級計算機和企業(yè)服務器應用。另外，三星預計將其14納米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統(tǒng)快速增長的數據需求。
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