TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange指出，中國大陸于2014年10月宣布成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（中國簡稱為大基金）成立，進軍DRAM領(lǐng)域成為中國半導(dǎo)體計劃的第一步。在經(jīng)過六大地方政府競逐DRAM生產(chǎn)基地后，近日由大陸工信部電子信息司司長丁文武所主導(dǎo)的半導(dǎo)體小組，屬意武漢新芯成為中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃的首要重點區(qū)域，未來可能由上海中芯國際營運長趙海軍領(lǐng)軍、并以武漢新芯做為增資平臺。
DRAMeXchange認為，除了大基金外，中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資，遠期計劃要募集到240億美元的規(guī)模，長期產(chǎn)能目標達每月30萬片，正式展開中國DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃；未來武漢新芯將匯集DRAM、3DNAND與NOR三大技術(shù)成為未來中國重要的存儲器芯片產(chǎn)業(yè)基地。
DRAMeXchange指出，武漢新芯成立于2006年，是湖北省與武漢市的重大戰(zhàn)略投資項目，2008年12吋正式完工并開始投片，原為中芯國際旗下的一座工廠，后來2013年中芯國際退出營運，武漢新芯正式獨立成單一公司，由武漢市政府負責，經(jīng)營團隊多在國際半導(dǎo)體公司都有歷練，具有相當?shù)募夹g(shù)根基。
DRAMeXchange進一步指出，武漢新芯位處東湖開發(fā)區(qū)，占地達531畝，目前有一座12吋晶圓廠運作中，現(xiàn)有工廠初期產(chǎn)品以NOR為主，2015年年初正式與Spansion合作，展開3DNAND的技術(shù)開發(fā)。從目前工廠規(guī)模來看，武漢新芯一廠投片已接近滿載水位，倘若再加上DRAM產(chǎn)能，勢必將再興建另一座12吋晶圓廠來滿足未來產(chǎn)能的需求。
DRAMeXchange預(yù)估，未來武漢新芯將匯集DRAM、3DNAND與NOR技術(shù)成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)領(lǐng)頭羊，并且將成為至少擁有二座12吋晶圓廠的中國存儲器芯片基地。
更多資訊請關(guān)注PC BASED頻道
網(wǎng)站客服
粵公網(wǎng)安備 44030402000946號