近期，韓國《京鄉(xiāng)新聞》引用半導體業(yè)界消息表示，隨著對人工智能服務器領域投資的擴大，對高帶寬存儲器(HBM)、DDR5等高附加值DRAM的需求不斷增加。與之相反，NAND市場需求持續(xù)萎縮。
這一背景下，已經有存儲廠商將減產重點落在NAND領域。
SK海力士在最新財報中表示，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴大NAND產品的減產規(guī)模。
三星電子存儲事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財報電話會議上提到，三星將延長減產行動，并對包括NAND閃存芯片在內的某些產品進行額外的產量調整。
當然，眼下的艱難不意味著NAND未來沒有發(fā)展前景。長遠來看，隨著AI、大數據等技術發(fā)展，催生大容量存儲產品需求，包括SSD在內的NAND Flash仍將大有可為。因此，存儲大廠同樣在不遺余力布局NAND Flash堆疊技術，以圖未來。
目前NAND Flash已經突破200層堆疊大關，SK海力士已開始量產238層4D NAND閃存。未來存儲廠商將持續(xù)發(fā)力更高層數NAND Flash，美光232層之后，計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數產品;鎧俠與西數也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術;三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)，2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)，2030年前實現1000層NAND Flash。
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