隨著中國高鐵、地鐵、動(dòng)車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，中國市場(chǎng)對(duì)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及其模塊的需求越來越大。然而，在IGBT領(lǐng)域，中國企業(yè)尚處于起步階段，國外廠商早已占領(lǐng)了中國大部分的市場(chǎng)份額。對(duì)于尚處于蹣跚學(xué)步階段的中國企業(yè)來說，該如何與國外廠商展開競(jìng)爭(zhēng)?面對(duì)中國龐大的市場(chǎng)需求，本土企業(yè)的機(jī)會(huì)又在哪里?

IGBT是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的新一代功率半導(dǎo)體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS以及逆變焊機(jī)當(dāng)中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

新興產(chǎn)業(yè)成驅(qū)動(dòng)力IGBT市場(chǎng)增長空間廣闊

據(jù)相關(guān)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，IGBT市場(chǎng)規(guī)模占功率器件總市場(chǎng)規(guī)模比例為7.05%。受益于變頻器產(chǎn)業(yè)、變頻家電產(chǎn)業(yè)以及軌道交通產(chǎn)業(yè)的大力推動(dòng)，中國IGBT市場(chǎng)增長空間非常大，預(yù)計(jì)2011年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到60.2億元，增速達(dá)到30%。另有數(shù)據(jù)顯示，隨著中國高鐵、地鐵、動(dòng)車、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，到2014年IGBT的銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。

上海華虹NEC電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”)市場(chǎng)部部長陳儉也描繪了IGBT市場(chǎng)的藍(lán)圖：“未來五年中國IGBT市場(chǎng)將保持復(fù)合25%以上的增速增長，節(jié)能應(yīng)用將成為市場(chǎng)的主要?jiǎng)恿?，市?chǎng)容量預(yù)計(jì)可達(dá)到160億元。”

以上數(shù)據(jù)都展示了IGBT的美好前景，不過在深圳安杰利科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“安杰利”)經(jīng)理陳孝安看來，今年的IGBT市場(chǎng)并不景氣。“與去年相比，今年IGBT市場(chǎng)并沒有太大的增長，因?yàn)楣夥@塊的應(yīng)用還沒有上量。此外，受競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境的影響，一些中小企業(yè)倒閉，導(dǎo)致一些應(yīng)用市場(chǎng)的需求量下滑，比如大功率開關(guān)電源這塊，適配器、通信電源、充電器和PC電源的出貨量都出現(xiàn)了不同程度的下滑。”不過，陳孝安同時(shí)也表示，從未來來看，新能源、光伏、通訊電源、電力控制、電力機(jī)車等領(lǐng)域的需求會(huì)大幅增長，特別是中國電力機(jī)車領(lǐng)域，中國高鐵、地鐵發(fā)展較快，這將是一個(gè)大的應(yīng)用市場(chǎng)。

據(jù)了解，安杰利2005年開始涉足IGBT領(lǐng)域，當(dāng)時(shí)也正是看中了中國廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。陳孝安告訴記者，目前國內(nèi)做IGBT的廠家并不多，本土IGBT產(chǎn)業(yè)還處于起步階段，未來會(huì)有比較大的需求量。

政策扶持頻頻出臺(tái)IGBT產(chǎn)業(yè)受重視

根據(jù)《國家中長期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要(2006-2020年)》，科技部在“十一五”國家科技支撐計(jì)劃重點(diǎn)項(xiàng)目“電力電子關(guān)鍵器件及重大裝備研制”中，將“新型電力電子器件及電力電子集成技術(shù)”列為該重點(diǎn)項(xiàng)目的第一項(xiàng)課題。據(jù)相關(guān)人士透露，該課題主要致力于IGBT、FRD及PEBB(電力電子組塊)關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)。

2010年國家發(fā)改委又下發(fā)紅頭文件——《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實(shí)施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)的通知》，重點(diǎn)明確了以IGBT為代表的芯片和器件的設(shè)計(jì)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、功率模塊產(chǎn)業(yè)化等。這充分體現(xiàn)了上層對(duì)目前功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的瓶頸和困局已有比較深刻的認(rèn)識(shí)和危機(jī)意識(shí)。

有業(yè)內(nèi)人士表示，從產(chǎn)業(yè)化的角度看，未來3-5年內(nèi)我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展重點(diǎn)應(yīng)該是IGBT，因?yàn)槲覈鴮?duì)IGBT器件的需求比較迫切，國家在該領(lǐng)域也有較大的支持和投入。