

HB2105系列擴散硅多功能單片集成芯片
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產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品特點
·自主設(shè)計技術(shù)和制造工藝、硅微機械加工技術(shù)
·4英寸硅片工藝流程、先進的批量生產(chǎn)工藝
·功能多種組合集成、制造技術(shù)柔性兼容
·微米結(jié)構(gòu)尺寸、一致性高、性能穩(wěn)定可靠
·智能傳感器的核心芯片
基本參數(shù)
·功能集成:表壓-絕壓、差壓-絕壓
差壓-靜壓-溫度、 壓力-溫度
·靜壓范圍:14MPa
·靜壓橋路電阻:20~40±20%kΩ
·基準量程:差壓:10kPa、40kPa、120kPa 、250kPa、600kPa
表壓、絕壓:0~35kPa~600kPa、0~1MPa~60MPa~100MPa
·電特性:供電電源:恒壓5V,或恒流 1mA
絕緣電阻:>50MΩ(50V.DC)
PN結(jié)擊穿電壓:≥30V(I=10μA檔)
·過載能力:≥1.3倍以上基準量程(雙面)
·零點輸出:≤±30mV/5V
·滿量程輸出:≥60mV/5V
·熱敏電阻:R=50~100±20%KΩ
·橋路電阻:R=5~20+20%KΩ(表壓、差壓、絕壓)
·熱敏電阻溫度系數(shù):≥50Ω/℃
·非線性:≤0.5%F.S(表壓、差壓、絕壓)
·工作溫度范圍:-45~125℃
·溫度特性:零點溫度系數(shù): ≤±5%F.S /55℃
靈敏度溫度系數(shù):≤±10%F.S /55℃
·短期穩(wěn)定性:≤±10μV(100小時)
·長期穩(wěn)定性:優(yōu)于0.2%F.S/年
注:1.非線性數(shù)據(jù)計算為最佳直線擬合法。
2.溫度系數(shù)的55℃溫區(qū)為-30~25℃或25~80℃
3.沒有其他說明,所有測試值均相對25℃、恒壓5V
4.100MPa量程過載為本量程上限。

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