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更新時(shí)間:2008/10/29 8:52:00
簡(jiǎn)介:Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率 MOSFET 刷新了業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻記錄該器件提供了 89.25nC 的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM
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更新時(shí)間:2008/10/15 9:21:00
簡(jiǎn)介:Vishay Siliconix 推出新型三輸出降壓控制器 IC,真正實(shí)現(xiàn)高效電源轉(zhuǎn)換
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更新時(shí)間:2008/9/26 8:53:00
簡(jiǎn)介:Vishay 推出三款額定電壓升至310 VAC的新型X2電磁干擾(EMI)抑制薄膜電容器
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更新時(shí)間:2008/9/26 8:47:00
簡(jiǎn)介:Vishay 推出業(yè)內(nèi)首款具有雙面冷卻功能的30V 單片功率MOSFET和肖特基二極管
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更新時(shí)間:2008/9/23 10:31:00
簡(jiǎn)介:飛思卡爾的用于遠(yuǎn)程傳感的MC33781主接口器件和MC33784輔接口允許安全氣囊制造商添加更多碰撞傳感器,同時(shí)降低系統(tǒng)成本、提高系統(tǒng)抗噪性。
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更新時(shí)間:2008/9/19 8:58:00
簡(jiǎn)介:Vishay 的高可靠性VJ HVArc Guard® 表面貼裝 MLCC可大幅降低機(jī)械應(yīng)用中的電容器故障
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更新時(shí)間:2008/9/19 9:34:00
簡(jiǎn)介:飛思卡爾半導(dǎo)體目前推出了其電源管理IC系列產(chǎn)品的第一款LED背光產(chǎn)品,新的10通道MC34844白色LED驅(qū)動(dòng)器IC設(shè)計(jì)用于筆記本電腦、屏幕在10~27英寸之間的平板監(jiān)視器的LED背光
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更新時(shí)間:2008/9/19 8:51:00
簡(jiǎn)介:Vishay 推出業(yè)界首款采用CLCC-6 及 CLCC-6 扁平陶瓷封裝、基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的白光功率 SMD LED
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更新時(shí)間:2008/9/17 8:58:00
簡(jiǎn)介:Intersil的新型單相PWM控制器為需要寬電壓范圍的設(shè)計(jì)提供了最高效率
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更新時(shí)間:2008/9/17 8:52:00
簡(jiǎn)介:Vishay 的新型超高精度 Z 箔電阻再次將高可靠性和高性能完美的結(jié)合在一起
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更新時(shí)間:2008/9/12 9:54:00
簡(jiǎn)介:NEC電子日前完成了集成了設(shè)備線纜適配器(DWA: Device Wire Adaptor)功能的系統(tǒng)芯片"μPD720180A"的開發(fā),并于即日起開始發(fā)售樣品。
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更新時(shí)間:2008/9/12 8:47:00
簡(jiǎn)介:Intersil 采用超小封裝的雙協(xié)議收發(fā)器使用極為靈活,并提供 15kV 的 ESD 保護(hù)功能
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更新時(shí)間:2008/9/9 8:50:00
簡(jiǎn)介:器件具有 1.2pF 的低典型電容以及大于 11A 的高浪涌電流,其0.75mm 的超薄厚度更可在便攜式電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)板面空間節(jié)約
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更新時(shí)間:2008/9/5 8:43:00
簡(jiǎn)介:Vishay 推出新型整合功率光敏可控硅,消除了對(duì)單獨(dú)的功率 TRIAC 的需求
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更新時(shí)間:2008/9/2 9:49:00
簡(jiǎn)介:該系列 SMD LED 器件具有 20K/W 的低熱阻以及 5600mcd~14000mcd 的高光功率,主要面向熱敏應(yīng)用。
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更新時(shí)間:2008/9/1 10:30:00
簡(jiǎn)介:飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供用于I2C (Inter-Integrated Circuit) 總線的電壓轉(zhuǎn)換器FXM2IC102
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更新時(shí)間:2008/9/1 10:06:00
簡(jiǎn)介:Vishay推出采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且具有 400mA 驅(qū)動(dòng)電流的首個(gè)高強(qiáng)度淡黃色及黃色功率 SMD LED 系列
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更新時(shí)間:2008/8/25 9:28:00
簡(jiǎn)介:HOLTEK推出USBAudio控制芯片HT82A836R
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更新時(shí)間:2008/8/21 13:15:00
簡(jiǎn)介:Vishay的新型器件具有低至 0.052 歐姆的導(dǎo)通電阻及 1.6mm×1.6mm 的占位面積,適合各種消費(fèi)類便攜電子產(chǎn)品的要求
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更新時(shí)間:2008/8/20 10:19:00
簡(jiǎn)介:IBM周一宣布,已生產(chǎn)出首個(gè)22納米工藝SRAM(靜態(tài)存儲(chǔ)器)單元
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伺服系統(tǒng)
直驅(qū)系統(tǒng)
驅(qū)動(dòng)與執(zhí)行
智能檢測(cè)
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電氣設(shè)備
機(jī)器人
工業(yè)設(shè)備