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Vishay Siliconix發(fā)布業(yè)界最低導(dǎo)通電阻新型第三代功率MOSFET
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Vishay Siliconix發(fā)布業(yè)界最低導(dǎo)通電阻新型第三代功率MOSFET

產(chǎn)品型號(hào)

廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商

公司名稱(chēng)VISHAY 威世電子

地       址上海市淮海西路55號(hào) 申通信息廣場(chǎng)15樓D座

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聯(lián)系人:王真 021-52585000-6052

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企業(yè)信息

普通會(huì)員18

公司類(lèi)型: 生產(chǎn)商

主運(yùn)營(yíng):電子元器件、半導(dǎo)體

所在地區(qū):上海市

注冊(cè)時(shí)間:2008-11-20

產(chǎn)品介紹
2009 年 5 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET ——- Si7615DN,其導(dǎo)通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK® SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3,可大大節(jié)省電路板空間。 新款Si7615DN提供了超低的導(dǎo)通電阻,在10V、4.5V和2.5V條件下的導(dǎo)通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,使器件在執(zhí)行開(kāi)關(guān)任務(wù)時(shí)比市場(chǎng)上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少。
Si7615DN采用了與Vishay最近發(fā)布的第三代TrenchFET® 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK® SO-8封裝。為滿(mǎn)足各個(gè)應(yīng)用的特殊需求,第三代P通道TrenchFET®封裝為設(shè)計(jì)工程師提供了多個(gè)選項(xiàng),使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK® SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%),或是節(jié)省空間的PowerPAK® 1212-8封裝之間進(jìn)行選擇。 直到最近,只有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導(dǎo)通電阻范圍,因此Si7615DN的出現(xiàn)使設(shè)計(jì)工程師不再依賴(lài)于現(xiàn)有的高壓MOSFET。在競(jìng)爭(zhēng)的30V器件中,采用PowerPAK® 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的導(dǎo)通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ。 Si7615DN可用做電源適配器開(kāi)關(guān),或用于筆記本電腦、上網(wǎng)本、工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器開(kāi)關(guān)(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)是始終導(dǎo)通的,并吸取電流。Si7615DN更低的導(dǎo)通電阻使其功耗更低,可節(jié)省電能并延長(zhǎng)電池壽命。 新款TrenchFET® 功率MOSFET Si7615DN經(jīng)過(guò)了100%的Rg測(cè)試,符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定?,F(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。 VISHAY SILICONIX簡(jiǎn)介 Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話(huà)和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)和汽車(chē)系統(tǒng)的固態(tài)開(kāi)關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計(jì)用來(lái)在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿(mǎn)足客戶(hù)需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線(xiàn)路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專(zhuān)注于應(yīng)用在蜂窩電話(huà)、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開(kāi)關(guān)集成電路。 Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1998年Vishay購(gòu)買(mǎi)了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡(jiǎn)介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無(wú)源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com

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