SiNx燒穿工藝下硅太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)研究
介紹了在全國(guó)產(chǎn)設(shè)備構(gòu)成的中試線上開(kāi)展的高效單晶硅太陽(yáng)電池研究工作,并制備出了最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)15.7%...[查看詳情]
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透明導(dǎo)電膜前電極晶體硅太陽(yáng)電池屬于一種新結(jié)構(gòu)的光伏電池。其要點(diǎn)是用透明導(dǎo)電薄膜作前電極,來(lái)代替柵...[查看詳情]
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晶體硅與染料敏化納米薄膜太陽(yáng)能-光電轉(zhuǎn)換技術(shù)
本文對(duì)晶體硅和染料敏化納米薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)、制備工藝及材料等方面進(jìn)行了綜述,并介紹了國(guó)內(nèi)外染...[查看詳情]
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晶體硅光伏電池?zé)Y(jié)工藝及調(diào)節(jié)
絲網(wǎng)印刷/快速燒結(jié)工藝是當(dāng)今工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)晶體畦太陽(yáng)電池普遍應(yīng)用的成熟的金屬化技術(shù)。[查看詳情]
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一引言用薄膜工藝在晶體硅襯底上制備非晶、納米晶薄膜,可獲得異質(zhì)結(jié)電池,該類電池有以下優(yōu)點(diǎn):[查看詳情]
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背腐蝕在晶體硅太陽(yáng)電池生產(chǎn)中的應(yīng)用
背腐蝕可以用來(lái)代替生產(chǎn)中通常使用的等離子刻蝕將擴(kuò)散后正面和背面的p-n結(jié)分開(kāi)。本文中背腐蝕使用了HF—...[查看詳情]
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本發(fā)明提供了BET表面積為20—150m︿2/g的聚集的晶體硅粉末。它是通過(guò)如下步驟制得的:使至少一種蒸氣的...[查看詳情]
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晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)
西安交通大學(xué)太陽(yáng)能研究所研制的太陽(yáng)能照明燈系列技術(shù)有:太陽(yáng)能照明燈設(shè)計(jì)技術(shù)、太陽(yáng)能照明燈過(guò)放控制...[查看詳情]
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利用激光燒蝕沉積法在n-Si(100)襯底上制備非晶硅(α-Si)薄膜,再經(jīng)過(guò)高溫退火技術(shù)處理使α-Si晶化成...[查看詳情]
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基于數(shù)字圖像處理的晶體硅顆粒形態(tài)分析算法
顆粒形態(tài)分析是準(zhǔn)確進(jìn)行顆粒識(shí)別的基礎(chǔ).本文利用圖像處理技術(shù)統(tǒng)計(jì)顆粒數(shù)目,標(biāo)注顆粒質(zhì)心,計(jì)算了顆粒...[查看詳情]
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