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SiNx燒穿工藝下硅太陽電池結(jié)構(gòu)研究

發(fā)布時間：2009/4/26 17:27:00

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提供者：中國傳動網(wǎng)

【SiNx燒穿工藝下硅太陽電池結(jié)構(gòu)研究】

資料介紹
介紹了在全國產(chǎn)設(shè)備構(gòu)成的中試線上開展的高效單晶硅太陽電池研究工作，并制備出了最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)15．7％的單體電池（面積103×103mm︿2）。實驗采用PECVD方法制備SiNx減反、鈍化薄膜，并采用正背面電極一次金屬化燒結(jié)技術(shù)，同時完成氮化硅薄膜燒穿工藝。

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