技術(shù)頻道

背腐蝕可以用來(lái)代替生產(chǎn)中通常使用的等離子刻蝕將擴(kuò)散后正面和背面的p-n結(jié)分開(kāi)。本文中背腐蝕使用了HF—HNO3體系，沒(méi)有表面保護(hù)。用掃描電鏡（SEM）觀察了背腐蝕和等離子刻蝕后的表面形貌以及硅／鋁界面情況，分析了背反射和內(nèi)量子效應(yīng)IQE。用背腐蝕代替等離子刻蝕后晶體硅太陽(yáng)電池的ISC、VOC和電池效率都得到了提高。