電力電子

工業(yè)化薄晶體硅太陽(yáng)電池背電極漿料

通過(guò)調(diào)整背電極漿料和電池基片厚度，探索了減少太陽(yáng)電池彎曲度的途徑。[查看詳情]

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納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運(yùn)機(jī)制

采用HWCVD技術(shù)在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，測(cè)量了晶體硅表面在不同氫處理...[查看詳情]

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AFORS—HET軟件模擬N型非晶硅／p型晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池

運(yùn)用AFORS-HET程序模擬計(jì)算了不同本征層厚度、能隙寬度、發(fā)射層厚度、能帶失配以及不同界面態(tài)密度等參數(shù)...[查看詳情]

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外延晶體硅薄膜電池的EBIC與SR-LBIC特性分析

電子束誘導(dǎo)電流（EBIC:Electron Beam Induced Current）是研究晶體缺陷（如晶界、位錯(cuò)、沉淀等）復(fù)合特...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：568大?。?26.74KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

低成本襯底上快熱CVD法制備晶體硅薄膜電池

以RTCVD方法在低成本襯底——顆粒硅帶（SSP）上制備了外延晶體硅薄膜電池.在20×20mm2上得到的最高轉(zhuǎn)換...[查看詳情]

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納米晶體硅量子點(diǎn)場(chǎng)發(fā)射冷陰極的研究

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點(diǎn)薄膜,將其制備成場(chǎng)致發(fā)射的冷陰極...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池選擇性擴(kuò)散的研究

該文主要介紹一種制造太陽(yáng)電池的選擇性擴(kuò)散新工藝,采用印刷電極的方法在硅片上的電極位置印刷高 磷漿料,...[查看詳情]

標(biāo)簽：格式：rar下載次數(shù)：497大?。?14.69KB發(fā)布時(shí)間：2009-04-26

非晶體硅平板探測(cè)器圖像質(zhì)量與輻射劑量的比較研究

目的：研究非晶體硅平板探測(cè)器在不同輻射劑量下的圖像質(zhì)量,并比較平板探測(cè)器（FPD）、熒光存儲(chǔ)和屏-片系...[查看詳情]

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100MW晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線(xiàn)在湘投產(chǎn)

中電科技集團(tuán)第48所100MW晶體硅太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)線(xiàn)一期工程竣工投產(chǎn)暨二期莫基儀式在長(zhǎng)沙隆重舉行。湖南...[查看詳情]

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晶體硅太陽(yáng)電池工藝技術(shù)研究

晶體硅太陽(yáng)電池是目前技術(shù)最成熟、應(yīng)用最廣泛的太陽(yáng)電池。以晶體硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)流程為基礎(chǔ)，主要從提...[查看詳情]

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