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納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運(yùn)機(jī)制

發(fā)布時(shí)間：2009/4/26 17:07:00

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【納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)電池的暗I-V特性和輸運(yùn)機(jī)制】

資料介紹
采用HWCVD技術(shù)在P型CZ晶體硅襯底上制備了納米硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，測(cè)量了晶體硅表面在不同氫處理時(shí)間下的異質(zhì)結(jié)的暗I-V特性和相應(yīng)的電池性能參數(shù)．室溫下的正向暗I-V特性采用雙二極管模型來(lái)擬合，可將0～1V的電壓范圍區(qū)分為4個(gè)區(qū)域。

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