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納米晶體硅量子點(diǎn)場(chǎng)發(fā)射冷陰極的研究

發(fā)布時(shí)間：2009/4/26 17:02:00

文件類(lèi)型：rar

資料大小：279.71KB

提供者：中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)

【納米晶體硅量子點(diǎn)場(chǎng)發(fā)射冷陰極的研究】

資料介紹

在n-Si（4～5Ω·cm）襯底上淀積了400nm厚的納米晶體硅（nc-Si）量子點(diǎn)薄膜,將其制備成場(chǎng)致發(fā)射的冷陰極.介紹了nc-Si量子點(diǎn)冷陰極的制備,場(chǎng)致發(fā)射特性的測(cè)試,解釋了nc-Si量子點(diǎn)冷陰極的工作模型及電子彈道發(fā)射的原理.透射電子顯微鏡（TEM）對(duì)樣片的結(jié)構(gòu)分析證實(shí)樣片中的nc-Si量子點(diǎn)具有很好的單晶結(jié)構(gòu)。

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