4 月 8 日消息，德國鐵電存儲器公司(FMC)宣布與半導體企業(yè) Neumonda 達成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲芯片(FeRAM)生產(chǎn)線。
這是繼 2009 年英飛凌、奇夢達德國 DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲芯片本土化生產(chǎn)。
雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物(HfO?)作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級別，同時保持斷電不丟失數(shù)據(jù)的特性。
注：FeRAM 類似于 SDRAM，是一種隨機存取存儲器技術(shù)。它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質(zhì)，因此也擁有了非揮發(fā)性內(nèi)存的功能。
FMC 首席執(zhí)行官 Thomas Rueckes 解釋稱：“鉿氧化物的鐵電效應(yīng)將 DRAM 電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯卧诒３指咝阅艿耐瑫r實現(xiàn)低功耗，特別適合 AI 運算的持久內(nèi)存需求?！?/p>
合作雙方將依托 Neumonda 開發(fā)的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大測試系統(tǒng)，構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的完整鏈條。
Neumonda 首席執(zhí)行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標是重建德國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)，本次合作邁出了關(guān)鍵一步。”
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