Intel聯(lián)邦總裁兼總經(jīng)理克里斯·喬治表示：“Intel很自豪能夠與美國國防部持續(xù)合作，幫助加強美國的國防和國家安全系統(tǒng)。今天的聲明凸顯了我們與美國政府的共同承諾，即加強國內(nèi)半導體供應鏈，并確保美國在先進制造、微電子系統(tǒng)和工藝技術(shù)方面保持領(lǐng)先地位?！?/p>

　　Intel CEO帕特·基辛格(Pat Gelsinger)表示，作為唯一一家同時設(shè)計和制造尖端芯片的美國公司，我們將幫助確保國內(nèi)芯片供應鏈的安全。

　　Intel還透露，其代工廠即將完成歷史性的設(shè)計和工藝技術(shù)創(chuàng)新，其最先進的技術(shù)——Intel 18A——有望在2025年投入生產(chǎn)。

　　Intel開發(fā)和生產(chǎn)了許多世界上最先進的芯片和半導體封裝技術(shù)，目前正在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的工廠推進關(guān)鍵的半導體制造和研發(fā)項目。

　　Intel稱，與美國政府的密切合作由來已久。2020年，Intel獲得SHIP計劃第二階段的授權(quán)，使美國政府能夠使用Intel在亞利桑那州和俄勒岡州的先進半導體封裝能力，并利用Intel每年大量的研發(fā)和制造投資。

　　2023年，Intel成功交付了SHIP計劃下的首批多芯片封裝原型，這是確保獲得尖端微電子封裝并為國防部現(xiàn)代化鋪平道路的重大成就。

　　據(jù)了解，18A是Intel雄心勃勃的“五年，四個節(jié)點 (5Y4N)”路線圖的巔峰之作。

　　該工藝采用創(chuàng)新設(shè)計，將環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)RibbonFET與背面供電技術(shù)PowerVia相結(jié)合。

　　RibbonFET能夠精確控制晶體管溝道中的電流，在減少功耗方面發(fā)揮著重要作用，同時還能實現(xiàn)芯片組件的進一步小型化。

　　另一方面，PowerVia將電源與晶圓表面分離，優(yōu)化信號路徑并提高電源效率。這些技術(shù)的結(jié)合預計將顯著提高未來電子設(shè)備的計算性能和電池壽命。