隨著臺積電熊本晶圓廠將在2月24日開幕，2024年多座日本或外資半導(dǎo)體制造商在日本新建的晶圓廠將開始大規(guī)模生產(chǎn)。市場人士表示，這將刺激日本國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的成長和發(fā)展，提高日本的半導(dǎo)體制造能力。

　　臺積電熊本晶圓廠2/24將開幕

　　在熊本縣菊陽町，由臺積電、SONY和日本電裝(DENSO)投資的日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造(JASM)公司，目前正在興建一座12寸晶圓廠，該工廠將采用12/16納米以及22/28納米制程技術(shù)，主要生產(chǎn)供應(yīng)車用電子使用的芯片。該晶圓廠預(yù)計于2月24日開幕，預(yù)計將于2024年第四季開始大量生產(chǎn)。

　　市場人士表示，這一新晶圓廠的開發(fā)將使日本邏輯IC制程技術(shù)獲得重大進(jìn)步，從瑞薩電子的40納米制程轉(zhuǎn)向JASM的12納米制程，這被視為日本半導(dǎo)體復(fù)興政策的第一步。對此，日本政府也為JASM晶圓廠提供4,760億日元(約合32億美元)的資金補(bǔ)助，補(bǔ)助金額占該晶圓廠總支出86億美元的近三分之一。

　　鎧俠和西數(shù)合資興建12寸晶圓廠

　　NAND Flash 快閃存儲器大廠鎧俠(Kioxia)和西數(shù)正合資在三重縣四日市建設(shè)一座12寸晶圓廠。該工廠將于2024年3月準(zhǔn)備量產(chǎn)3D NAND Flash閃存產(chǎn)品。市場人士指出，該晶圓廠將斥資2,800億日圓(約18億美元)，其中日本政府補(bǔ)高達(dá)929億日元(約6億美元)。至于，位于巖手縣北上的另一家鎧俠和西數(shù)合資工廠，則將于2024年下半年開幕。而該計劃原定于2023年完工，但由于市場狀況不佳，因為整個計劃遭到延后。

　　瑞薩電子擴(kuò)產(chǎn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　瑞薩電子預(yù)計將于2024年推出新的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，不過，因為該公司位于山梨縣的甲府工廠于2014年10月已經(jīng)關(guān)閉。因此，為了應(yīng)對電動汽車(EV)功率半導(dǎo)體不斷成長的需求，該公司承諾斥資900億日圓在現(xiàn)有工廠安裝一條12寸晶圓生產(chǎn)線。未來，新生產(chǎn)線將使瑞薩電子能夠增強(qiáng)其IGBT和MOSFET等功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并計劃于2024年達(dá)成量產(chǎn)目標(biāo)。而對于瑞薩電子的擴(kuò)產(chǎn)計劃，預(yù)計也將獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的補(bǔ)貼支持。

　　東芝和羅姆半導(dǎo)體合作整合產(chǎn)線發(fā)展功率半導(dǎo)體

　　東芝和羅姆半導(dǎo)體(ROHM)達(dá)成一項協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，東芝功率半導(dǎo)體工廠將開始與羅姆在宮崎縣國富市新開發(fā)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體工廠進(jìn)行生產(chǎn)整合。羅姆位于國富市的新工廠將采用8寸SiC晶圓技術(shù)，預(yù)計于2024年底開始量產(chǎn)，并部分完成工廠建設(shè)。而此次合作預(yù)計將獲得政府補(bǔ)貼，相當(dāng)于該項目投資的三分之一。

　　2025年及以后日本新晶圓廠計劃

　　2025 年之后，日本將出現(xiàn)更多晶圓廠，包括美光科技位于廣島縣的新 1-gamma(1γ)DRAM 生產(chǎn)廠。JSMC 是晶圓代工廠力積電(PSMC)的晶圓制造子公司，其與日本金融集團(tuán)SBI合作，計劃在2027 年完成興建后量產(chǎn)芯片。至于，日本半導(dǎo)體新創(chuàng)企業(yè)Raapidus也計劃在2027年在北海道量產(chǎn)2納米芯片。

　　另外，臺積電目前也正評估興建的日本第二座晶圓廠將落腳熊本縣菊陽町。消息指出，臺積電方面最快將在2月6日正式對外宣布第二晶圓廠地點(diǎn)。先前，臺積電董事長劉德音談到在日本的第二座晶圓廠時說，還在評估階段，正在日本政府進(jìn)行討論。一旦決定興建第二晶圓廠，預(yù)計將生產(chǎn)7納米到16納米制程技術(shù)的產(chǎn)品。