光刻機的架構及技術很復雜，不過決定光刻機分辨率的主要因素就是三點，分別是常數K、光源波長及物鏡的數值孔徑，波長越短，分辨率就越高，現在的EUV光刻機使用的是極紫外光EUV，波長13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先進工藝工藝。
俄羅斯莫斯科電子技術學院 (MIET)現在就接下了貿工部的6.7億盧布資金(約合5100萬元人民幣)，也要開發(fā)制造芯片的光刻機，而且號稱要達到EUV級別，但技術原理完全不同，他們研發(fā)的是基于同步加速器和/或等離子體源”的無掩模X射線光刻機。
X射線光刻機使用的是X射線，波長介于0.01nm到10nm之間，比EUV極紫外光還要短，因此光刻分辨率要高很多。
此外，X射線光刻機相比現在的EUV光刻機還有一個優(yōu)勢，那就是不需要光掩模版，可以直寫光刻，這也節(jié)省了一大筆費用。
正因為有這么兩個特點，俄羅斯要研發(fā)的X射線光刻機優(yōu)勢很大，甚至被當地的媒體宣傳為全球都沒有的光刻機，ASML也做不到。
從相關資料來看，全球確實沒有能達到規(guī)模量產的X射線光刻機，不過這種技術并不是現在才有，不僅美國、歐洲研究過，國內也有科研機構做了X射線光刻機，只是生產芯片的效率跟ASML的光刻機不能比的，只適合特定場景。
不過俄羅斯在X射線及等離子之類的技術上有深厚的基礎，倒是可以期待下他們在新型光刻機上能走多遠。
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