近日,在國際固態(tài)電路大會中,三星首次展示了3nm工藝芯片,芯片采用了GAAFET技術,中文名為環(huán)繞柵極場效應晶體管技術,這也是三星首次采用該技術。
此次展出的芯片是一顆256GB容量的SRAM存儲芯片,這也是3nm工藝首次落地。該芯片采用的是GAAFET中的MBCFET技術,它具備超低功耗,寫入電流只需要區(qū)區(qū)0.23V。
此次2nm工藝相較于7nm來說,
晶體管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。有消息稱,三星的3nm工藝芯片將于明年開始量產(chǎn),其他消息并沒有宣布。不過根據(jù)高通驍龍888處理器的情況,首批3nm芯片實際使用效果有待商榷。

中傳動網(wǎng)版權與免責聲明:
凡本網(wǎng)注明[來源:中國傳動網(wǎng)]的所有文字、圖片、音視和視頻文件,版權均為中國傳動網(wǎng)(www.wangxinlc.cn)獨家所有。如需轉(zhuǎn)載請與0755-82949061聯(lián)系。任何媒體、網(wǎng)站或個人轉(zhuǎn)載使用時須注明來源“中國傳動網(wǎng)”,違反者本網(wǎng)將追究其法律責任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明其他來源的稿件,均來自互聯(lián)網(wǎng)或業(yè)內(nèi)投稿人士,版權屬于原版權人。轉(zhuǎn)載請保留稿件來源及作者,禁止擅自篡改,違者自負版權法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。
下一篇:
?
金升陽榮膺先進制造業(yè)“經(jīng)營貢獻突出企業(yè)”和“成長壯大企業(yè)” —...?
廣州市黃埔區(qū)人民政府、廣州開發(fā)區(qū)管委會聯(lián)合表彰通報了223家2020年度先進制造業(yè)經(jīng)營突出企業(yè),以及15家2020年度先進制造業(yè)成長壯大企業(yè)。其中,廣州金升陽科...