近日,在國際固態(tài)電路大會中,三星首次展示了3nm工藝芯片,芯片采用了GAAFET技術,中文名為環(huán)繞柵極場效應晶體管技術,這也是三星首次采用該技術。
此次展出的芯片是一顆256GB容量的SRAM存儲芯片,這也是3nm工藝首次落地。該芯片采用的是GAAFET中的MBCFET技術,它具備超低功耗,寫入電流只需要區(qū)區(qū)0.23V。
此次2nm工藝相較于7nm來說,
晶體管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。有消息稱,三星的3nm工藝芯片將于明年開始量產,其他消息并沒有宣布。不過根據高通驍龍888處理器的情況,首批3nm芯片實際使用效果有待商榷。

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