基板事業(yè)部是今年增長主力貢獻(xiàn)：基板事業(yè)部包括BGA(基帶芯片、處理器)、LGA(射頻模塊)、MEMS/sensorIC、smartIC等高端封裝產(chǎn)品，是公司今年及未來增長主力。政策層面上國家大力扶持國內(nèi)封測，鼓勵(lì)國內(nèi)IC設(shè)計(jì)采用本土封測，公司自身技術(shù)也向高端制程升級，且較臺(tái)灣大廠有價(jià)格優(yōu)勢，展訊、海思、聯(lián)芯、銳迪科、瑞芯微等國內(nèi)IC大廠已經(jīng)將訂單轉(zhuǎn)向長電，產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的趨勢明確。本質(zhì)上公司是受益于中低端移動(dòng)終端爆發(fā)，憑借向高端封裝制程升級，伴隨國內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商崛起而成長。其基板事業(yè)部去年初營收僅800萬/月，當(dāng)前成長為7000萬/月，增長迅猛。預(yù)計(jì)此塊業(yè)務(wù)今年?duì)I收貢獻(xiàn)7-8億，明年12億左右。

攝像頭模組已經(jīng)量產(chǎn)，前景可觀：2011年與東芝合資成立新晟電子(長電70%，東芝30%)，結(jié)合了長電在鏡頭封裝，與東芝在圖像傳感器、光學(xué)測試方面的優(yōu)勢。攝像頭模組市場前景廣闊，僅手機(jī)用攝像頭2013年預(yù)計(jì)達(dá)到14億顆，至2015年達(dá)到16億顆，另外，車裝攝像頭也是一個(gè)巨大的下游市場。公司當(dāng)前產(chǎn)能80-100萬/月，不斷擴(kuò)產(chǎn)中。預(yù)計(jì)今年?duì)I收1-2億，明年5億左右。

盈利預(yù)測及投資評級：

受益于中低端移動(dòng)終端爆發(fā)，憑借向高端封裝制程升級，伴隨國內(nèi)IC設(shè)計(jì)廠商崛起而成長，公司長期成長邏輯確立。BGA是今年主要增長點(diǎn)，F(xiàn)CBGA是未來方向，bumping+FC一條龍是公司優(yōu)勢。今年將體現(xiàn)出較大的業(yè)績彈性，由于搬廠、高端產(chǎn)能逐步釋放以及季節(jié)性因素，預(yù)計(jì)主要集中在下半年爆發(fā)。維持公司2013-2015年EPS分別為0.15、0.28、0.38元的盈利預(yù)測，重申“增持”評級。

復(fù)旦復(fù)華：公司是復(fù)旦大學(xué)控股的上市公司，依托復(fù)旦大學(xué)雄厚的科研、技術(shù)、人才優(yōu)勢，成功確立了以軟件開發(fā)、生物醫(yī)藥、園區(qū)房產(chǎn)為核心的科技產(chǎn)業(yè)體系，目前已擁有中國重要的對日軟件出口平臺(tái)，具有科技創(chuàng)新能力的藥品研發(fā)、生產(chǎn)、營銷基地，以及廣納國內(nèi)外高新技術(shù)企業(yè)的國家級高新技術(shù)園區(qū)。此次復(fù)旦大學(xué)教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關(guān)系，但今年復(fù)旦大學(xué)持續(xù)在人腦\水鋰電池等行業(yè)上獲得突出研究能力，因而正面效應(yīng)依然存在。

風(fēng)華高科：公司是目前國內(nèi)片式元器件規(guī)模最大、元件產(chǎn)品系列配套最齊全的具備國際競爭力的電子元件企業(yè)，是MLCC及片式電阻器全球十大企業(yè)之一。公司研制、生產(chǎn)和銷售系列新型片式元器件，2011年更是對半導(dǎo)體高壓功率MOSFET生產(chǎn)技術(shù)線進(jìn)行了改造。

近日據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)，采用該材料的芯片將具有高密度和低功耗的優(yōu)勢，該研究成果被刊發(fā)在美國《科學(xué)》雜志上。

分析人士認(rèn)為，作為我國微電子領(lǐng)域的重大技術(shù)突破，此項(xiàng)科研成果有望進(jìn)一步提升我國在芯片領(lǐng)域的話語權(quán)，但從產(chǎn)業(yè)鏈觀察，和之前多項(xiàng)芯片技術(shù)面臨的難題一樣，芯片企業(yè)多由外國把持，如何把技術(shù)轉(zhuǎn)化為產(chǎn)能是未來需要亟待解決的問題。

魚和熊掌兼得

傳統(tǒng)意義上的電腦和智能手機(jī)的芯片均是由晶體管組成，目前晶體管的材料主要有MOS晶體管和浮柵晶體管兩種，兩種材料可謂各有千秋。

MOS晶體管適合完成高速運(yùn)算，但運(yùn)算時(shí)溫度極高，且一斷電所有的運(yùn)算數(shù)據(jù)將全部丟失；浮柵晶體管的結(jié)構(gòu)域MOS相比多了一層多晶硅材料(浮柵層)，浮柵晶體管運(yùn)算速度比MOS要低不少，但其優(yōu)勢在于斷電后數(shù)據(jù)仍可以保存。業(yè)內(nèi)人士表示，目前需要大量運(yùn)算但對運(yùn)算要求較高的如CPU和GPU領(lǐng)域多使用MOS晶體管，但結(jié)果是必要配備電扇以降溫，否則元器件極易損壞，而內(nèi)存、閃存和固態(tài)硬盤等對數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和溫度存在硬性要求的產(chǎn)品多使用浮柵晶體管。

此次復(fù)旦大學(xué)的科研成果，有望終結(jié)芯片領(lǐng)域魚和熊掌不可兼得的現(xiàn)狀，使用半浮柵晶體管芯片的速度將有提升，根據(jù)科研負(fù)責(zé)人的說法，使用半浮柵晶體管的芯片運(yùn)算速度將在浮柵晶體管的芯片的1000倍左右；而使用半浮柵晶體管結(jié)構(gòu)的CPU其緩存面積將縮小9成；用在內(nèi)存中運(yùn)算速度將提高到1至2倍。從結(jié)構(gòu)上看，半浮柵晶體管結(jié)構(gòu)與浮柵晶體管相比多了一層隧穿晶體管來控制電流，這將節(jié)省到諸如電容等零部件給拘泥于方寸之間芯片設(shè)計(jì)帶來更多的寶貴空間。

8月9日，美國《科學(xué)》雜志率先刊發(fā)了該研究成果。這是我國科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文，分析人士認(rèn)為，芯片上游領(lǐng)域作為一個(gè)極為尖端的高科技領(lǐng)域，取得如此的突破性實(shí)屬難能可貴，這將提升中國在全球芯片行業(yè)的話語權(quán)。

產(chǎn)業(yè)化路仍較長

就市場來看，據(jù)估算，目前CPU、內(nèi)存、數(shù)碼相機(jī)感光器件的芯片的市場規(guī)模就在千億美元左右。在復(fù)旦大學(xué)公布此項(xiàng)重大科研成果后，業(yè)內(nèi)人士對產(chǎn)業(yè)化問題頗為關(guān)心，但從目前的情況來看，由于上游多屬于外國企業(yè)，半浮柵晶體管芯片恐仍有較長的道路要走。據(jù)了解，復(fù)旦大學(xué)目前已對此技術(shù)申請了核心技術(shù)專利，但后期的應(yīng)用設(shè)計(jì)工作仍需要企業(yè)來完成。

據(jù)中證報(bào)報(bào)道，目前全球芯片市場主要被外國壟斷，如Intel、高通、ARM等外國企業(yè)占據(jù)了芯片市場的大部分芯片市場份額。分析人士認(rèn)為，如何將此項(xiàng)由中國自主掌握的尖端技術(shù)做好相應(yīng)配套，由技術(shù)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)能仍需要產(chǎn)業(yè)鏈下游積極配合，但從目前來看，我國在此中游領(lǐng)域與國外相比較為薄弱，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化將面臨較大的不確定性。

微電子罕見成就或催生“元器件熱”

今年以來，“電子熱”此起彼伏，各類技術(shù)創(chuàng)新更成為個(gè)股股價(jià)爆發(fā)的催化劑。

近日據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)，該研究成果被刊發(fā)在美國《科學(xué)》雜志上。分析人士表示，這是我國科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破。預(yù)計(jì)此次微電子的罕見成就將催生新一波的“元器件熱”，相關(guān)個(gè)股華微電子、復(fù)旦復(fù)華、長電科技及風(fēng)華高科有望獲得資金青睞。

微電子罕見成就意義重大

據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組成功研制出第一個(gè)介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的半浮柵晶體管(SFGT)。8月9日，美國《科學(xué)》雜志刊發(fā)了該研究成果，這是我國科學(xué)家首次在該雜志上發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的論文，標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。

據(jù)介紹，金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是目前集成電路中最基本的器件，而常用的U盤等閃存器件多采用另一種被稱為浮柵晶體管的器件。此次研究人員把一個(gè)隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)和浮柵器件結(jié)合起來，構(gòu)成了一種全新的“半浮柵”結(jié)構(gòu)器件，稱為半浮柵晶體管。它具有高密度和低功耗的明顯優(yōu)勢，可取代一部分靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)，并應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)領(lǐng)域以及主動(dòng)式圖像傳感器芯片(APS)領(lǐng)域。

據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)介紹道，作為一種基礎(chǔ)電子器件，半浮柵晶體管在存儲(chǔ)和圖像傳感等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用市場規(guī)模超過300億美元。它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國際芯片設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語權(quán)。

而不同于實(shí)驗(yàn)室研究的基于碳納米管、石墨烯等新材料的晶體管，半浮柵晶體管是一種基于標(biāo)準(zhǔn)硅CMOS工藝的微電子器件。張衛(wèi)表示，半浮柵晶體管兼容現(xiàn)有主流集成電路制造工藝，具有很好的產(chǎn)業(yè)化基礎(chǔ)；不過，擁有核心專利并不等于擁有未來的廣闊市場。盡管半浮柵晶體管應(yīng)用市場廣闊，但前提是對核心專利進(jìn)行優(yōu)化布局。

國際巨頭加大支出半導(dǎo)體消費(fèi)規(guī)模創(chuàng)新高

據(jù)海外媒體報(bào)道，盡管全球芯片銷量去年出現(xiàn)了下滑，但今年全球半導(dǎo)體市場有望因國際大電子品牌商的加大支出而實(shí)現(xiàn)復(fù)蘇；其中，蘋果和三星將會(huì)角逐成為今年半導(dǎo)體市場上最大的消費(fèi)者。

今年以來，設(shè)備廠商們對半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資熱情十分高漲。據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)IHS的估計(jì)，今年全球主要設(shè)備生產(chǎn)商的半導(dǎo)體市場開支有望增長至2652億美元，較去年的2544億美元，同比增長4.2%。更為重要的是，2013年的半導(dǎo)體市場消費(fèi)規(guī)模將達(dá)到過去六年來的最高水平。

業(yè)已成為全球PC貨量最大的中國市場，目前在與全球PC相關(guān)的芯片支出方面仍占有舉足輕重的比重。據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)IDC估計(jì)，全球芯片產(chǎn)業(yè)在今年仍有望實(shí)現(xiàn)較低的個(gè)位數(shù)增長，增長主要是來自于移動(dòng)領(lǐng)域，其中蘋果和三星為該領(lǐng)域的統(tǒng)治者。據(jù)IHS的數(shù)據(jù)顯示，僅無線通訊板塊今年就占據(jù)了半導(dǎo)體市場26%的份額，即大約620億美元的份額。該板塊在2013年也是增長最快的一個(gè)市場，全年預(yù)期增幅達(dá)12.8%。

據(jù)悉，蘋果和三星是今年半導(dǎo)體市場上支出規(guī)模最高的兩家公司，排在它們之后的一些廠商包括有惠普、聯(lián)想、索尼、戴爾、思科、松下、東芝以及華碩電腦。當(dāng)中部分廠商既為芯片生產(chǎn)商身份，也同時(shí)為芯片供應(yīng)商，還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長，也有部分廠商出現(xiàn)了下滑。

我國科學(xué)家首次研制出新型微電子半浮柵晶體管，這標(biāo)志著我國在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得了重大突破，再加上年內(nèi)國際巨頭的爭相投入，半導(dǎo)體投資熱情不減，預(yù)計(jì)新一波的“元器件熱”將順勢而出。