便宜的DRAM仍占優(yōu)勢，但穩(wěn)定的技術進步已經開拓了許多新的方向。 存儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發(fā)新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。 舉例來說，閃存技術脫胎于EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用于PC機BIOS的EEPROM芯片，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼于對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。 DRAM 嚴重依賴于PC的DRAM市場總是處于劇烈的振蕩之中。對目前處于衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM芯片的尺寸。所以，制造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM芯片尺寸的方法。 隨著市場的復蘇和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。 就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之后又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出于同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。 同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發(fā)新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩(wěn)渡過市場振蕩期。 許多生產商都開始針對這些市場開發(fā)專門的DRAM產品。 不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和服務器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所占的份額將仍低于2%。 生產商對消費電子市場的期望值更高。網絡設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。 但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰(zhàn)都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。 現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。 這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。 所以，對DRAM來說，其未來屬于低價、標準、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。 閃存和其他非易失性存儲器 目前，非易失性存儲器技術的最高水平是閃存。如同DRAM依賴于PC市場一樣，閃存也依賴于手機和機頂盒市場。由于這些設備的需求一直不夠強勁，所以閃存目前良好的銷售情況只是季節(jié)性的，今年下半年就會降下來。 但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以閃存的前景也會變得光明一些。 盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是閃存，但技術卻并未就此停步。生產商們正在開發(fā)多種新技術，以便使閃存也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。 非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及閃存的局限性。 每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。 FRAM FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電后能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。 這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業(yè)標準的CMOS半導體存儲器制造工藝來生產，直到近日才研發(fā)成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。 MRAM MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。 MRAM擁有無限次的讀寫能力，并且功耗極低，可實現瞬間開關機并能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個芯片只需一條讀出電路。 但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及閃存都高得多。 OUM OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的閃存。它擁有很長的讀寫操作壽命，并且比閃存更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元制作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。 但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。 PFRAM PFRAM是一種塑料的、基于聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。 PFRAM可能會替代閃存，并且其成本只有NOR型閃存的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。 今后，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發(fā)。PFRAM的讀寫次數也有限，并且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。 總之，存儲器技術將會繼續(xù)發(fā)展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。 而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究閃存之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優(yōu)劣。