開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

      作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線路板(PCB)走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

      1MHZ以?xún)?nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決

      1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

      30---50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.

      100---200MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

      100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

      開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低。

      設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)防止EMI的措施:

      1.把噪音電路節(jié)點(diǎn)的PCB銅箔面積最大限度地減小;如開(kāi)關(guān)管的漏極、集電極，初次級(jí)繞組的節(jié)點(diǎn)，等。

      2.使輸入和輸出端遠(yuǎn)離噪音元件，如變壓器線包，變壓器磁芯，開(kāi)關(guān)管的散熱片，等等。

      3.使噪音元件（如未遮蔽的變壓器線包，未遮蔽的變壓器磁芯，和開(kāi)關(guān)管，等等）遠(yuǎn)離外殼邊緣，因?yàn)樵谡２僮飨峦鈿み吘壓芸赡芸拷饷娴慕拥鼐€。

      4.如果變壓器沒(méi)有使用電場(chǎng)屏蔽，要保持屏蔽體和散熱片遠(yuǎn)離變壓器。

      5.盡量減小以下電流環(huán)的面積：次級(jí)（輸出）整流器，初級(jí)開(kāi)關(guān)功率器件，柵極（基極）驅(qū)動(dòng)線路，輔助整流器。

      6.不要將門(mén)極（基極）的驅(qū)動(dòng)返饋環(huán)路和初級(jí)開(kāi)關(guān)電路或輔助整流電路混在一起。

      7.調(diào)整優(yōu)化阻尼電阻值，使它在開(kāi)關(guān)的死區(qū)時(shí)間里不產(chǎn)生振鈴響聲。

      8.防止EMI濾波電感飽和。

      9.使拐彎節(jié)點(diǎn)和次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

      10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

      11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

      12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線端子。

      13.使EMI濾波器對(duì)面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

      14.在輔助線圈的整流器的線路上放一些電阻。

      15.在磁棒線圈上并聯(lián)阻尼電阻。

      16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

      17.在PCB設(shè)計(jì)時(shí)允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。

      18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

      19.在PCB面積足夠的情況下,可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

      20.空間允許的話在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線電容器（米勒電容，10皮法/1千伏電容）。

      21.空間允許的話放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

      22.不要把AC插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。