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匯總開關電源調(diào)試的常見問題

時間:2025-12-02 17:45:14來源:21ic電子網(wǎng)

導語:?開關電源是廣泛應用于電子設備中的一種電源供應方式,其高效率和穩(wěn)定性使其受到廣泛青睞。然而,在開關電源的設計和調(diào)試過程中,常常會遇到各種問題。本文將探討開關電源調(diào)試中常見的問題以及相應的解決方法。

  開關電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱開關電源、開關變換器,是一種高頻功率變換裝置,是電源的一種。

  我們就來盤點一下開關電源調(diào)試時最常見的 10 個問題,希望能對您有所幫助。

  問題一:輸出電壓不穩(wěn)定

  輸出電壓不穩(wěn)定是開關電源調(diào)試中最常見的問題之一。這可能是由于反饋回路故障、輸入電壓波動、負載變化過大或者電源內(nèi)部元件參數(shù)漂移等原因引起。解決這個問題需要檢查反饋回路的元件是否正常,優(yōu)化輸入濾波電路,以及合理設計負載匹配。

  問題二:輸出紋波過大

  輸出紋波過大可能會影響到電子設備的正常工作。造成這一問題的原因可能是濾波電容容量不足、電感參數(shù)不合適、開關頻率設置不當或者 PCB 布線不合理。可以通過增加濾波電容容量、優(yōu)化電感參數(shù)、調(diào)整開關頻率以及改善 PCB 布線來解決。

  問題三:電源效率低下

  電源效率低下會導致能源浪費和發(fā)熱問題。這可能是由于開關管導通損耗過大、磁性元件損耗過高、驅(qū)動電路損耗大或者控制策略不合理等原因造成。解決方法包括選用低導通電阻的開關管、優(yōu)化磁性元件設計、提高驅(qū)動電路效率以及改進控制算法。

  問題四:電磁干擾(EMI)超標

  EMI 超標會對周圍的電子設備產(chǎn)生干擾,影響其正常運行。開關電源中的高頻開關動作是 EMI 的主要來源??梢酝ㄟ^合理布局 PCB、添加 EMI 濾波器、優(yōu)化變壓器設計以及采用軟開關技術來降低 EMI。

  問題五:過流保護失效

  過流保護失效可能會導致電源和負載損壞。這可能是由于過流檢測電路故障、保護閾值設置不當或者保護電路響應速度慢等原因引起。需要檢查過流檢測電路的元件,合理設置保護閾值,并提高保護電路的響應速度。

  問題六:過熱問題

  過熱會影響電源的可靠性和壽命。造成過熱的原因可能是功率器件散熱不良、工作電流過大、環(huán)境溫度過高等??梢酝ㄟ^增加散熱片面積、改善散熱風道、降低工作電流或者加強通風散熱來解決。

  問題七:啟動困難

  電源啟動困難可能是由于啟動電路故障、輸入電容充電時間過長、軟啟動電路失效或者控制芯片工作異常等原因?qū)е?。需要檢查啟動電路的元件,優(yōu)化輸入電容參數(shù),檢查軟啟動電路以及更換有問題的控制芯片。

  問題八:空載輸出電壓異常

  在空載狀態(tài)下,輸出電壓異常可能是由于反饋回路在空載時工作異常、變壓器次級繞組漏電或者輸出端存在寄生電容等原因造成??梢詸z查反饋回路在空載時的工作狀態(tài),修復變壓器漏電問題,以及減小輸出端的寄生電容。

  問題九:負載調(diào)整率差

  負載調(diào)整率差會導致輸出電壓隨負載變化而大幅波動。這可能是由于反饋回路的增益不足、輸出濾波電容容量不夠或者電源的內(nèi)阻過大等原因引起??梢酝ㄟ^增加反饋回路的增益、增大輸出濾波電容容量以及降低電源內(nèi)阻來解決。

  問題十:短路保護問題

  短路保護功能失效可能無法在電源輸出短路時及時保護電源和負載。這可能是由于短路檢測電路故障、保護動作閾值設置不合理或者保護電路響應不及時等原因造成。需要檢查短路檢測電路,合理設置保護動作閾值,并提高保護電路的響應速度。

  開關電源是廣泛應用于電子設備中的一種電源供應方式,其高效率和穩(wěn)定性使其受到廣泛青睞。然而,在開關電源的設計和調(diào)試過程中,常常會遇到各種問題。本文將探討開關電源調(diào)試中常見的問題以及相應的解決方法。

  1. 常見問題與解決方法

  1.1 過載保護失效

  問題表現(xiàn):當負載過大時,開關電源無法啟動過載保護功能,容易導致電路元件損壞。

  解決方法:檢查過載保護電路的設計和參數(shù)設置是否正確,確保過載情況下能夠及時切斷輸出電流。

  1.2 輸出紋波過大

  問題表現(xiàn):輸出電壓或電流存在大幅度的紋波波動,影響電子器件正常工作。

  解決方法:優(yōu)化濾波電路設計,增加濾波電容、電感等元件,降低輸出紋波水平。

  1.3 電磁干擾問題

  問題表現(xiàn):開關電源在工作時產(chǎn)生的電磁干擾影響其他電子設備的正常運行。

  解決方法:采取電磁屏蔽措施,如增加屏蔽罩、優(yōu)化地線布局等,減少電磁輻射和干擾。

  1.4 開關頻率異常

  問題表現(xiàn):開關電源的工作頻率不穩(wěn)定或異常,可能導致輸出電壓波動、功率損耗等問題。

  解決方法:檢查反饋回路、控制芯片等部分,確認電路連接正確,并調(diào)整相關參數(shù)使開關頻率穩(wěn)定。

  1.5 過溫保護觸發(fā)

  問題表現(xiàn):開關電源工作過程中出現(xiàn)過熱現(xiàn)象,觸發(fā)過溫保護,停止工作。

  解決方法:優(yōu)化散熱設計,增加散熱片面積、改進通風等方式,提高散熱效果,避免過溫保護觸發(fā)。

  1.6 效率低下

  問題表現(xiàn):開關電源的轉換效率較低,導致能量浪費嚴重,影響系統(tǒng)整體性能。

  解決方法:選擇合適的開關管、變壓器等元件,優(yōu)化電路拓撲結構,調(diào)整控制策略,提高轉換效率。

  1、變壓器飽和

  當變壓器(及開關管)在高電壓或低電壓輸入(包括輕負載、重負載或容性負載)、輸出短路、動態(tài)負載或高溫的情況下導通時,通過變壓器的電流(和開關管)非線性增長。當這種情況發(fā)生時,峰值電流值無法預測或調(diào)節(jié),從而導致電流過大,并因過壓而損壞開關管。

  變壓器飽和時的電流波形

  匯總開關電源調(diào)試的常見問題

  變壓器飽和時的電流波形

  容易飽和:

  1)變壓器電感過大;

  2)圈數(shù)太少;

  3)變壓器的飽和電流點小于IC的最大限流 點 ;

  4)無軟啟動。

  解決方案:

  1)降低IC的限流點 ;

  2)加強軟啟動,使通過變壓器的電流包絡上升得更慢。

  匯總開關電源調(diào)試的常見問題

  當前信封

  2、Vds過高

  Vds 的應力要求:

  在最惡劣的條件下(最高輸入電壓、最重負載、最惡劣環(huán)境溫度、上電或短路測試),Vds 的最大值不應超過指定規(guī)格的 90%。

  降低Vds的方法:

  1)降低平臺電壓:減少變壓器原、副邊匝數(shù)比;

  2)降低尖峰電壓:

  1、減少漏感:

  當開關導通時,變壓器的漏感儲存能量,這是產(chǎn)生峰值電壓的主要原因??梢酝ㄟ^降低漏感來降低峰值電壓。

  2、調(diào)整吸收電路:

 ?、俨捎肨VS管;

  ② 使用速度較慢的 二極管,其本身可以吸收一定的能量(尖峰);

  ③ 插入阻尼電阻可以使波形更加平滑,有利于降低EMI。

  3、IC溫度過高

  原因及解決辦法:

  1)內(nèi)部 MOSFET 損耗過大:

  開關損耗過高,變壓器的寄生電容過高,導致MOSFET的 開通 和關斷電流與Vds之間存在巨大的交叉面積。解決辦法:增加變壓器繞線距離以減小層間電容,或者如果繞制多層,則在層間加一層絕緣膠帶(層間絕緣)。

  2)散熱不良:

  將熱量傳送到 PCB 的引腳 及其上的銅箔占 IC熱量的很大一部分。應多涂焊料,并盡可能擴大銅箔面積。

  3) IC周圍空氣溫度 過高:

  IC 應放置在空氣流通良好的地方,并應遠離零件溫度過高的地方。

  4、空載、輕載無法啟動

  現(xiàn)象:

  空載、輕載無法啟動, Vcc 在啟動電壓和關斷電壓之間反復跳變。

  原因:

  空載和輕載時, Vcc 繞組感應電壓過低,進入反復重啟狀態(tài)。

  解決方案:

  增加Vcc繞組匝數(shù),降低Vcc限流電阻,正確添加假負載。增加Vcc繞組匝數(shù)、減小Vcc限流電阻后,如果重載時Vcc過高,請參考穩(wěn)定Vcc的步驟。

  5、啟動后無法重載

  原因及解決辦法:

  1) 重載時Vcc太高

  負載較重時Vcc繞組的感應電壓較高,當Vcc過高并達到 IC 的OVP點時, 會觸發(fā)IC 的過壓保護,導致無輸出。 如果電壓升高超過 IC 的承受能力,IC將 被損壞。

  2) 內(nèi)部限流被觸發(fā)

  1、限流點太低

  如果在重負載和容性負載下限流點太低,則流經(jīng)MOSFET的電流受到 限制而不足,導致輸出不足。增加限流引腳電阻和限流點作為補救措施。

  2、電流上升斜率過大

  如果上升斜率過大,電流峰值會更高,更容易觸發(fā)內(nèi)部限流保護。解決方案是增加電感而不使變壓器飽和。

  6、待機輸入功率大

  現(xiàn)象:

  空載和輕載時Vcc不足。這種情況會導致空載和輕載時輸入功率過高,輸出紋波過大。

  原因:

  輸入功率過大的原因是當Vcc不足時, IC 進入重復啟動狀態(tài),經(jīng)常需要高電壓給Vcc電容充電,導致啟動電路失效。如果在啟動引腳和高電壓之間串聯(lián)一個電阻,此時電阻的功耗會較大,因此啟動電阻的功率要足夠。

  電源 IC 未進入 Burst Mode 或已進入Burst Mode,但Burst頻率過高,開關持續(xù)時間過長,開關損耗過高。

  解決方案:

  調(diào)整反饋參數(shù),降低反饋速度。

  7、短路功率過大

  現(xiàn)象:

  當輸出短路時,輸入功率過高,Vds過高。

  原因:

  輸出短路時重復脈沖較多,同時開關管電流峰值很大,導致輸入功率過高,開關管電流在內(nèi)部儲存過多能量。漏感,導致開關管關斷時Vds較高。

  當輸出短路時,開關管會因以下兩種原因之一而停止工作:

  1)通過這種方式觸發(fā)OCP可以使開關動作立即停止

  1. 觸發(fā)反饋引腳的OCP;

  2、開關動作停止;

  3. Vcc下降至IC關斷電壓;

  4. Vcc 回升至 IC 啟動電壓并重新啟動。

  2) 觸發(fā)內(nèi)部限流

  使用該方法時,可用占空比受到限制,當Vcc達到 UVLO下限時停止開關動作 ;然而,Vcc達到UVLO下限所需的時間 較長,因此開關動作維持的時間較長,輸入功率較高。

  1.觸發(fā)內(nèi)部限流,占空比受限;

  2. Vcc下降至IC關斷電壓;

  3、開關動作停止;

  4. Vcc 回升至 IC 啟動電壓并重新啟動。

  解決方案:

  1) 減少電流脈沖的數(shù)量,以便在輸出短路時激活反饋引腳的 OCP,從而使開關過程立即停止并減少電流脈沖的數(shù)量。這意味著當發(fā)生短路時,反饋引腳上的電壓應該上升得更快。因此,反饋引腳的電容應保持最小。

  2) 降低峰值電流。

  8、空載、輕載輸出紋波過大

  現(xiàn)象:

  空載或輕載時Vcc不足。

  原因:

  當Vcc不足時,振蕩器IC會在啟動電壓(如12V)和關斷電壓(如8V)之間間歇性地長時間工作,為輸出提供短暫的能量,然后長時間停止,導致電容器存儲放電。由于沒有足夠的能量來維持輸出穩(wěn)定,輸出電壓會下降。

  解決方案:

  保證在任何負載條件下都能穩(wěn)定提供Vcc。

  現(xiàn)象:

  Burst Mode下間歇工作的頻率太低,輸出電容的能量在該頻率下無法保持穩(wěn)定。

  解決方案:

  在滿足待機功耗要求的情況下,適當提高間歇工作頻率和輸出電容。

  9、過載、容性負載無法啟動

  現(xiàn)象:

  可以輕載啟動,啟動后可以重載啟動,但不能重載或大容性負載啟動。

  總體設計要求:

  無論輸入電壓是最低還是最低(如10000uF),輸出電壓必須在20mS內(nèi)上升到穩(wěn)定值。

  原因及解決方案(如果Vcc在其典型工作范圍內(nèi)):

  下面以容性負載C=10000uF為例進行分析。

  根據(jù)規(guī)范,輸出必須在 20 毫秒內(nèi)升至穩(wěn)定的輸出電壓(例如 5V)。

  E=0.5*C*V^2

  電容 C 越高,在 20 毫秒內(nèi)從輸入傳輸?shù)捷敵龅哪芰烤驮蕉唷?/p>

  匯總開關電源調(diào)試的常見問題

  芯片 FSQ0170RNA

  如圖所示,芯片F(xiàn)SQ0170RNA深色區(qū)域的整個面積S就是所需的能量。1)提高峰值限流點I limit ,允許更大的電感電流Id:增加Pin4連接的電阻,內(nèi)部電流源Ifb的分流更小,并利用PWM比較器作為限流參考 電壓 。正輸入電壓將上升,允許更多電流通過 MOSFET /變壓器,從而增加可用能量。

  2)增加首次啟動時傳輸能量所需的時間,即延長 Vfb 上升時間(到達OCP保護點之前)。

  匯總開關電源調(diào)試的常見問題

  該 FSQ0170RNA 芯片上的電感電流控制是以 Vfb 作為參考電壓,Vfb 電壓的波形與電感電流包絡成正比??刂芕fb的上升時間可以調(diào)節(jié)電感包絡線的上升時間,從而增加能量傳輸?shù)臅r間。

  IC的OCP功能是通過感測Vfb何時達到 Vsd (例如6V)來實現(xiàn)的。因此,可以延長 Vfb 的上升時間,以最小化 Vfb 斜率。

  當輸出電壓未達到正常值且反饋引腳電壓Vfb已達到保護點時,能量傳輸時間不足。當負載較重或容性負載時,輸出電壓上升緩慢,加在光耦上的電壓較低,流過光耦二極管的電流較小,光耦光敏管處于高阻狀態(tài)(容易導 通 )關閉)較長一段時間。連接至反饋引腳的電容器可通過 IC 的內(nèi)部電流源更快地充電。如果Vfb在這段時間內(nèi) 上升到保護點(例如6V),MOSFET將被關斷。 由于輸出無法達到正常值,導致啟動失敗。

  解決方案:

  當輸出電壓達到正常值時,反饋引腳電壓Vfb仍然小于保護點。使 Vfb 遠離保護點并緩慢爬升,或減小 Vfb 上升的斜率,以使輸出有足夠的時間上升到其通常值。

  1. 增加反饋電容(C9)會降低 Vfb 從 D 線到 A 線的上升斜率,如圖所示。然而,如果反饋電容太大,則會干擾正常工作條件,減慢反饋速度,并增加輸出紋波。因此,電容不能波動太大。

  2、由于方法A的不足,在反饋引腳并聯(lián)穩(wěn)壓管(D6,3.3V)串接一個電容(C7)。當Vfb小心時:這種方法不會干擾正常工作,因為B 行中指出。

  1)加大反饋腳電容(包括穩(wěn)壓管串電容),對于容性負載很大的問題影響最小;

  2) 提高峰值電流限制點I limit ,以及穩(wěn)態(tài)OCP點。在容性負載和最小輸入的情況下,必須檢查變壓器是否會飽和。

  3)若要保持限流點,應增大R10C11;然而,在超級電容負載(10000uF)的情況下,5Vsb的上升時間可能會增加到20mS以上,因此應該檢查該方法,看看動態(tài)響應是否受到太大影響。;

  4)431的偏置電阻R10太小,并聯(lián)431的C11要大一些;

  5)為了保證上升時間,可以同時采用增加OCP點和增加R10×C11的方法。

  10、空載、輕載輸出去抖

  現(xiàn)象:

  當輸出空載或輕載時,輸入電壓關閉,輸出(如5V)可能出現(xiàn)如下圖所示的電壓彈跳波形。

標簽: 電源

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