WCMP是電子束檢測應用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問題。EBI的應用可以幫助提升成品率，減少半導體ict技術開發(fā)的周期，并縮短提高成品率所需的時間。

下圖顯示了金屬1單鑲嵌工藝銅互連技術。硅氮化碳(SiCN)是一種致密材料，它可以用于代替氮化硅作為阻隔層防止銅擴散，在銅互連工藝中也可以作為刻蝕停止層(ESL)。與硅氮化物k=7~8)相比，SiCN具有較低的電介質常數(shù)k=4?5),因此，使用SiCN可以降低ILD層的整體介質常數(shù)。最常用的低％電介質材料是PECVD SiCOH,它被廣泛用于互連工藝。阻擋層和銅籽晶層使用PVDI藝沉積，通常使用離化金屬的等離子體提高底部的覆蓋。由于低k電介質的機械強度比硅酸鹽玻璃小，因此具有低k電介質的銅CMP過程向下的研磨力要低于使用USG或FSG材料。金屬1 CMP后，測試結構中首先進行電特性測量。微小的探針接觸測試結構的探針接觸區(qū)，并利用電壓或電流測試器件的電性能。為了避免銅氧化降低成品率，銅CMP和覆蓋層沉積之間有一個時間限制，所以利用光學檢測和電子束檢測系統(tǒng)進行缺陷的檢測通常在覆蓋層沉積后進行。

雙鑲嵌工藝通常用于銅金屬化，需要兩次介質刻蝕過程。至少有三種不同的方法形成雙鑲嵌銅金屬化工藝需要的帶孔槽。一種方法是首先刻蝕溝槽，然后刻蝕通孔(見下圖)。另一種方法是埋硬掩膜，首先通過刻蝕通孔并停止于刻蝕停止層，然后用溝槽掩膜同時形成通孔和溝槽(見下圖所示)。下圖顯示了先溝槽形成方法。先通孔和先溝槽這兩種工藝都被用于IC制造中的銅金屬化制程。

低左電介質刻蝕工藝中，刻蝕停止層通過等離子體中刻蝕副產品發(fā)射的光信號定義通孔和溝槽的深度。使用F/O可以刻蝕PE-TEOSUSG和SiCN。對于埋硬掩膜雙鑲嵌刻蝕(見下圖所示),需要低k電介質對SiCN的高選擇性。

鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)以及二者的結合，可以用于銅阻擋層以防止銅通過介電層擴散到硅襯底中，這種擴散可能會毀壞晶體管。利用銅籽晶層進行化學電鍍(ECP)大量的銅去填充狹窄的溝槽和通孔。銅籽晶層沉積后馬上電鍍大量的銅非常重要，因為即使在室溫條件下，銅也可以迅速自退火。退火后的銅籽晶層有較大的晶粒尺寸和粗糙表面，從而在ECP過程中導致溝槽和通孔內產生空洞，并使成品率下降。

電鍍銅后，在約250攝氏度的爐中退火以增加晶粒尺寸并降低電阻率。當Cu和Ta通過CMP工藝從晶圓表面去除后，僅僅在溝槽和通孔中留下金屬形成互連線。通常利用晶圓表面的反射率判斷金屬CMP工藝的終點，因為大多數(shù)金屬都有非常高的反射率，當金屬被研磨完到達電介質表面后，反射率會大大降低，這表明刻蝕到了終點。