時(shí)間:2022-08-12 15:56:19來源:北京利德華福電氣技術(shù)有限公司
變頻器核心部件:母線電容
利德華福HARSVERT系列變頻器是一款電壓源型單元級聯(lián)型變頻器,設(shè)備的核心部件是作為直流儲(chǔ)能環(huán)節(jié)的電容器,擔(dān)負(fù)著解耦、濾波、提供無功功率等重要的功能。如果電容出現(xiàn)容值大幅下降、紋波電阻增大等故障, 就會(huì)導(dǎo)致電機(jī)電流大幅波動(dòng)、轉(zhuǎn)速不穩(wěn)、電容發(fā)熱嚴(yán)重, 因此利德華福在電容器的選擇上頗費(fèi)了一番“苦心”。
目前,直流母線最常見的電容為鋁電解電容。而其最容易發(fā)生的容值下降、電容發(fā)熱等故障,大部分是因電容老化而造成的,為了避免電容失效而導(dǎo)致設(shè)備故障,通常需要在使用后的7 -10 年左右對直流母線電容進(jìn)行檢測和更換。
圖 1 電容器
(1)鋁電解電容
作為最常見的電容,鋁電解電容以金屬鋁箔作為陽極箔,表面經(jīng)過化成形成的氧化鋁薄膜作為電介質(zhì),起絕緣作用,電解液作為實(shí)際陰極,同時(shí)起修補(bǔ)氧化膜作用,陰極箔起陰極引出作用。電解電容通過對電極實(shí)施蝕刻處理使其表面粗糙來擴(kuò)大電極表面積,從而增大容量。
由于絕緣介質(zhì)是鋁箔表面的氧化鋁薄膜,難以控制氧化層厚度及均勻性、達(dá)到高耐壓,在不同的階段,可能會(huì)導(dǎo)致以下幾種情況出現(xiàn):
?電解電容工作的早期
鋁電解電容由于在負(fù)荷工作過程中,電解液不斷修補(bǔ)并增厚陽極氧化膜(補(bǔ)形效應(yīng)),會(huì)導(dǎo)致電容容量的下降;
?電解電容工作的后期
由于電容溫度較高、密封性能變差導(dǎo)致的電解液泄露等原因,電解液的損耗較多,溶液變粘稠,電阻率增大。這也將導(dǎo)致電解質(zhì)的等效串聯(lián)電阻增大,損耗增加,最終使得發(fā)熱量增大,溫升升高,進(jìn)入一個(gè)惡性循環(huán)。
此時(shí),電解液因粘稠而難以充分接觸鋁箔表面凹凸不平的氧化膜層,使得電容的有效極板面積減小,導(dǎo)致電容容量下降。因此,鋁電解電容的結(jié)構(gòu)決定了其使用壽命的限制。比起鋁電解電容,是否有更好的選擇呢?
(2)金屬薄膜電容
若要降低變頻器生命周期內(nèi)的運(yùn)維成本,使電容器在整個(gè)生命周期內(nèi)都無需更換,無疑是更優(yōu)解,因此金屬薄膜電容進(jìn)入了考慮范圍。
金屬薄膜電容發(fā)展僅10年左右,早期因產(chǎn)量小,制造成本高?,F(xiàn)在隨著產(chǎn)量的增大,制造成本顯著降低,使得其大規(guī)模的應(yīng)用成為了可能。因?yàn)榻饘俦∧る娙莸脑砼c鋁電解電容完全不同,所以鋁電解電容的問題能在金屬薄膜電容上迎刃而解。
金屬薄膜電容采用高分子聚合物薄膜基板和金屬薄膜,不會(huì)導(dǎo)致電解質(zhì)問題,且能調(diào)整厚度以達(dá)到更高的耐壓等級,壽命長達(dá)15年以上,能夠顯著降低產(chǎn)品生命周期的運(yùn)營費(fèi)用。憑借上述幾項(xiàng)適合變頻器應(yīng)用的優(yōu)勢,金屬薄膜電容引起了利德華福的關(guān)注。
僅僅引起注意還不夠,想要?jiǎng)偃卫氯A福變頻器的核心部件“職位”,自身?xiàng)l件需要相當(dāng)優(yōu)秀。在變頻核心部件的“崗位爭奪戰(zhàn)”中,鋁電解電容和金屬薄膜電容毫無保留,各自秀出了自己的數(shù)值,如表1所示。
表 1 鋁電解電容和金屬薄膜電容之比較
通過數(shù)值可以看到,在使用壽命、耐壓、耐浪涌電壓、耐低溫、耐震動(dòng)、耐長期儲(chǔ)存及易安裝等各個(gè)方面, 金屬薄膜電容均具備明顯優(yōu)勢。應(yīng)用金屬薄膜電容,能夠大幅提高變頻器的可靠性,顯著降低電容導(dǎo)致的變頻器的運(yùn)營維護(hù)成本,因此這個(gè)“職位”非它莫屬!
(3)催化變頻新改變
在利德華福變頻器產(chǎn)品上擔(dān)任重要“崗位”后,作為新一代元器件的金屬薄膜電容,借助其高耐壓和可自愈的特性,提供額定1200V的耐壓,無需電阻均壓電路,避免了因均壓失效導(dǎo)致的過壓損毀問題,為變頻器的設(shè)計(jì)和運(yùn)行帶來了更加積極的變化:
?變化:更優(yōu)異的設(shè)計(jì)(見圖2)
?變化:更堅(jiān)強(qiáng)的品質(zhì)
圖 2 設(shè)計(jì)方案比較
當(dāng)電容端電壓超過耐壓極限后,金屬薄膜電容會(huì)導(dǎo)致金屬鍍膜擊穿并蒸發(fā),隨著過電壓的消失而自行恢復(fù),同時(shí)會(huì)損失該部分的容量;電解電容的過壓則會(huì)導(dǎo)致氧化膜的擊穿和電解液的蒸發(fā),并可能導(dǎo)致電容爆炸等情況。
而采用金屬薄膜電容作為直流母線電容,可進(jìn)一步提高整個(gè)高壓變頻器的可靠性和穩(wěn)定性,并具備過壓擊穿后的自愈能力,顯著降低客戶在變頻器生命周期內(nèi)的運(yùn)營成本。金屬薄膜電容作為中高壓變頻器直流支撐電容,也已逐漸成為行業(yè)的共識和必然趨勢。
變頻器核心部件
絕緣柵雙極型晶體管IGBT
利德華福變頻器的核心元器件采用全稱為絕緣柵雙極型晶體管的IG BT (Insula t ed G a t e Bip o la r Transistor)。IGBT的可控開關(guān)能力使得變頻器可以通過PWM模式控制輸出電壓和頻率, 其特性決定了變頻器的輸入、輸出電壓、電流和輸出dv/dt性能,因此IGBT的選擇關(guān)系到整個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和品質(zhì)。在如此重要的元器件上,利德華福是如何進(jìn)行選擇的?
圖 3 IGBT 模塊
(1)IGBT的額定電流選擇
?散熱效率
散熱效率指散熱片轉(zhuǎn)移熱量的速度和能力,利德華福采用新型壓鑄式一體成型散熱器,通過翅片進(jìn)行高效散熱;
?過載要求
利德華福變頻器均按照允許120%過載、1分鐘每10 分鐘設(shè)計(jì),充分考慮現(xiàn)場使用中可能出現(xiàn)的過負(fù)荷工況, 確保設(shè)備持續(xù)、穩(wěn)定運(yùn)行;
?核心溫升限值
IGBT允許的溫升決定了IGBT允許輸出的電流大小, 除了散熱設(shè)計(jì)以外, IGBT的核心耐受溫度越高, 則允許輸出的電流越大,魯棒性也就越好;新型IGBT核心允許溫度可達(dá)150℃。
(2)IGBT的額定電壓選擇
?電網(wǎng)過電壓
IGBT需要可以耐受電網(wǎng)波動(dòng)導(dǎo)致的電壓升高,通常為110%~130%電網(wǎng)額定電壓;
?關(guān)斷過電壓
IGBT需要可以耐受關(guān)斷時(shí),電路上的感性負(fù)荷以及雜散電感造成的電壓尖峰;
?故障過電壓
IGBT還需能承受線路出現(xiàn)過電流時(shí)導(dǎo)致的過電壓, 并可靠關(guān)斷。
(3)封裝更新,順應(yīng)變頻發(fā)展
由于變頻器的封裝形式關(guān)系到控制回路和主回路的布局設(shè)計(jì),同時(shí)進(jìn)一步影響電路的電氣性能, 所以IGBT 的封裝也要不斷變化, 順應(yīng)變頻器的發(fā)展需要。因此在IGBT封裝形式上,利德華福同樣“別出心裁”。
?更高電流密度
IGBT芯片的電流密度隨著技術(shù)的發(fā)展逐步提高,目前最新型的小功率IGBT模塊已經(jīng)可以將整流,逆變電路集成在一個(gè)模塊內(nèi),實(shí)現(xiàn)高壓變頻的完整拓?fù)?。此種一體式模塊的功耗與分立器件在不高于傳統(tǒng)三模塊設(shè)計(jì)前提下一致。這樣的封裝大幅簡化設(shè)備結(jié)構(gòu)和體積,減少器件間的線纜連接和故障點(diǎn),提高設(shè)備的穩(wěn)定性。
?更強(qiáng)的整流二極管芯片
采用整流二極管芯片(一體式模塊)可以使整流橋耐壓進(jìn)一步提升至2000~2200V(對比傳統(tǒng)的1800V耐壓),并且浪涌電流耐量(I2t,IFSM)也進(jìn)一步增強(qiáng), 能有效防止電網(wǎng)電壓波動(dòng)及沖擊電流造成的失效。
圖 4 采用更強(qiáng)的整流二極管
?焊接式引腳封裝
圖 5 焊接式引腳 IGBT
這種封裝下,IGBT的控制回路(或主回路)都是通過焊接式引腳引出。如圖5所示,可以采用焊接在電路板上的形式,使用疊層母線設(shè)計(jì),減小母線雜散電感,降低IGBT上的關(guān)斷尖峰電壓,延長IGBT使用壽命。
(4)內(nèi)置測溫,精準(zhǔn)核心保護(hù)
IGBT保護(hù)的核心是溫度保護(hù),因此IGBT的核心溫度測量就非常關(guān)鍵,傳統(tǒng)的溫度測量方案需要在IGBT旁的散熱片上安裝測溫元器件,但這樣的方式可能會(huì)帶來幾種問題:
?布置在散熱器,離發(fā)熱源較遠(yuǎn);
?檢測結(jié)果偏差大;
?溫度檢測響應(yīng)慢,時(shí)間常數(shù)大;
?繼電器輸出,無法讀取實(shí)際溫度值。
為了避免上述問題所帶來的影響,利德華福采用了新型IGBT模塊內(nèi)置溫度檢測方案,在IGBT模塊內(nèi)部安裝測溫元器件,使溫度傳感器能夠采集實(shí)際溫度值,并且發(fā)送給主控系統(tǒng),從而實(shí)現(xiàn)了以下功能:
?集成在IGBT內(nèi)部,接近發(fā)熱源;
?檢測結(jié)果更準(zhǔn)確;
?溫度檢測時(shí)效性高,響應(yīng)快;
?實(shí)時(shí)溫度數(shù)值顯示。
這種新型IGBT,可以進(jìn)一步提高整個(gè)高壓變頻器的可靠性,并有效縮短檢測、維修時(shí)間,降低用戶的維護(hù)費(fèi)用。通過采用以All-in-one、EconoDual封裝為代表的新型IGBT,利德華福為變頻器的設(shè)計(jì)帶來了新潮流, 最新推出的第七代高壓變頻產(chǎn)品, 御電新生, 未來可“七”!
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